[發明專利]一種濕法制絨花籃壓桿在審
| 申請號: | 201811236456.2 | 申請日: | 2018-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN109524335A | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 羨辰;徐晨杰;梁小靜 | 申請(專利權)人: | 上海神舟新能源發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人: | 許麗 |
| 地址: | 201112 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 卡齒 花籃 濕法制絨 卡槽 壓桿 絨面 長條形狀 弧形狀態 雙重效果 旋轉方式 壓桿固定 一體成型 主體表面 分割 硅片 疊片 匹配 分流 | ||
本發明提供的一種濕法制絨花籃壓桿,主體為長條形狀圓柱體,在所述圓柱體的兩側分別設有卡槽,所述卡槽通過旋轉方式讓壓桿固定于花籃兩側;所述主體表面一體成型有一排卡齒,所述卡齒的間距與所載花籃卡槽相匹配。本發明提供的濕法制絨花籃壓桿,采用卡齒以分割片子,其采用的形狀在起到分割作用的同時,有效降低硅片與卡齒的接觸面積,改善此區域的絨面不良;此外,卡齒的弧形狀態有利于引導反應過程中所產生氣泡的分流,使之不會集中于一處,降低影響程度,最終達到降低疊片和改善絨面不良的雙重效果。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制造技術領域,尤其涉及一種濕法制絨花籃壓桿。
背景技術
太陽能領域作為新能源領域越來越受到關注。目前,整個行業出于對于降低成本的迫切需求,在原材料上,金剛線切割多晶硅片取代了傳統砂漿切割多晶硅片,占據了主導地位,與之對應的后道生產工藝也在發生改變。因此,槽式制絨特別是濕法黑硅槽式制絨,由于對金剛線多晶硅片有著良好的適配性,也逐漸取代了鏈式制絨的地位。
鑒于槽式制絨方式的特殊性,在制絨過程中,硅片與藥液發生劇烈反應,會產生大量氣泡。而氣泡在上升行進中會帶起硅片,使硅片上浮,從而導致漂片現象。同時在提拉烘干過程中又容易發生疊片,最終導致不良片的產生,影響過程良率。傳統方法中,通常會在裝硅片的花籃上方加一承重物來防止硅片浮起。目前主流的方法,對于改善疊片作用有限,也容易會在承重物與硅片接觸區域,產生絨面不良,導致鍍膜后色差,造成外觀不良。
發明內容
本發明的目的在于提供一種濕法制絨花籃壓桿,既能解決疊片的問題,又能解決承重物與硅片接觸區域產生絨面不良的問題。
為了解決上述技術問題,本發明的技術方案是:提供一種濕法制絨花籃壓桿,主體為長條形狀圓柱體,在所述圓柱體的兩側分別設有卡槽,所述卡槽通過旋轉方式讓壓桿固定于花籃兩側;所述主體表面一體成型有一排卡齒,所述卡齒的間距與所載花籃卡槽相匹配。
進一步地,所述卡齒為細條狀弧形。
進一步地,所述主體內層采用不銹鋼材質,外層包裹聚四氟乙烯。
本發明提供的濕法制絨花籃壓桿,采用卡齒以分割片子,其采用的形狀在起到分割作用的同時,有效降低硅片與卡齒的接觸面積,改善此區域的絨面不良;此外,卡齒的弧形狀態有利于引導反應過程中所產生氣泡的分流,使之不會集中于一處,降低影響程度,最終達到降低疊片和改善絨面不良的雙重效果。
附圖說明
下面結合附圖對發明作進一步說明:
圖1為本發明實施例提供的濕法制絨花籃壓桿的正視結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的濕法制絨花籃壓桿卡齒側視結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的濕法制絨花籃壓桿作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書,本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
本發明的核心思想在于,本發明提供的濕法制絨花籃壓桿,采用卡齒以分割片子,其采用的形狀在起到分割作用的同時,有效降低硅片與卡齒的接觸面積,改善此區域的絨面不良;此外,卡齒的弧形狀態有利于引導反應過程中所產生氣泡的分流,使之不會集中于一處,降低影響程度,最終達到降低疊片和改善絨面不良的雙重效果。
圖1為本發明實施例提供的濕法制絨花籃壓桿的正視結構示意圖。參照圖1,本發明實施例提供一種濕法制絨花籃壓桿,主體為長條形狀圓柱體11,在所述圓柱體的兩側分別設有卡槽12,所述卡槽12通過旋轉方式讓壓桿固定于花籃兩側;所述主體表面一體成型有一排卡齒13,所述卡齒13的間距與所載花籃卡槽相匹配。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





