[發明專利]半導體器件和制造方法

在審

• 申請號: 201811235977.6
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN109698180A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 亞當·R·布朗;里卡多·L·楊多克
• 申請（專利權）人: 安世有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧麗波;李榮勝

1.一種半導體器件，包括：

第一半導體裸片和第二半導體裸片(102、104)，其布置在相應的第一載體和第二載體(106、108)上，所述第一半導體裸片和第二半導體裸片分別包括布置在相應的所述半導體裸片的頂部主表面上的第一接觸(110、112)和第二接觸(114、116)以及布置在相應的所述半導體裸片的底部主表面上的第三接觸(118、120)；

第一裸片連接部分和第二裸片連接部分(130、132)，其布置在相應的所述第一載體和第二載體(106、108)上，所述第一載體和第二載體(106、108)連接到相應的所述第一半導體裸片和第二半導體裸片的所述第三接觸；以及

第一接觸連接構件(134)，其從所述第一半導體裸片的所述第一接觸延伸到第二載體的所述裸片連接部分，使得所述第一半導體裸片的所述第一接觸電連接到所述第二半導體裸片的所述第三接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一接觸連接構件從所述第一半導體裸片的所述第一接觸延伸，以形成所述半導體器件的外部引線。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中，所述第一接觸連接構件與所述半導體器件的外部引線一體形成。

4.根據權利要求1至3中任一項或多項所述的半導體器件，還包括第二接觸連接構件，所述第二接觸連接構件從所述第一裸片和第二裸片的相應的所述第二接觸延伸，以形成所述半導體器件的相應的外部引線。

5.根據權利要求1至4中任一項或多項所述的半導體器件，還包括第三連接構件，所述第三連接構件從所述第二半導體裸片的所述第一接觸延伸，以形成所述半導體器件的相應的外部引線。

6.根據權利要求1至5中任一項或多項所述的半導體器件，還包括至少一個連接部分，所述至少一個連接部分從所述第一載體和第二載體中的每一個延伸，以形成所述半導體器件的相應的外部引線。

7.根據權利要求1至6中任一項或多項所述的半導體器件，其中，所述第一接觸連接構件是引線夾，所述引線夾包括：

第一部分，其用于連接至所述第一半導體裸片的所述第一接觸；

第二部分，其用于連接至所述第二載體的所述裸片連接部分；以及

導電部分，其將所述第一部分和所述第二部分連接。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述導電部分相對于所述第一部分和所述第二部分升高。

9.根據權利要求1至6中任一項或多項所述的半導體器件，其中，所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片被布置為半橋電路。

10.根據權利要求1至8中任一項或多項所述的半導體器件，其中，所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片是場效應晶體管，并且其中：

所述第一接觸是源極接觸；

所述第二接觸是柵極接觸；以及

所述第三接觸是漏極接觸。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述第一半導體裸片是高側場效應晶體管，并且所述第二半導體裸片是低側場效應晶體管。

12.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中，所述第三接觸連接構件是分叉的。