[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811235463.0
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN109712870A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 訾安仁;張慶裕;林進(jìn)祥
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/004
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;李琛

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一材料層于一基板之上；

形成一光阻層于該材料層之上，其中該光阻層包括一無機(jī)材料及一輔助劑，其中該無機(jī)材料包括復(fù)數(shù)個(gè)金屬核及復(fù)數(shù)個(gè)第一連結(jié)基團(tuán)，且其中該等第一連結(jié)基團(tuán)鍵結(jié)至該等金屬核；

通過進(jìn)行一曝光工藝，以曝光該光阻層的一部分，其中在該曝光工藝期間，該輔助劑與該等第一連結(jié)基團(tuán)進(jìn)行反應(yīng)；

蝕刻該光阻層的一部分，以形成一經(jīng)過圖案化的光阻層；

通過使用該經(jīng)過圖案化的光阻層作為一掩模，以將該材料層圖案化；以及

移除該經(jīng)過圖案化的光阻層。