[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、顯示器件

有效

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• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN111092100B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高卓;唐衛(wèi)東;楊曦
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H10K59/122
• 分類號: H10K59/122
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、顯示器件。其中，像素結(jié)構(gòu)包括：TFT基板；像素定義層，包括形成于所述TFT基板上的像素定義層主體和像素隔離柱；所述像素定義層主體上設(shè)有多個第一像素凹槽，所述像素隔離柱位于所述第一像素凹槽內(nèi)并將所述第一像素凹槽至少分隔成兩個第二像素凹槽，且所述像素定義層主體的高度大于所述像素隔離柱的高度；所述像素定義層主體遠(yuǎn)離所述TFT基板的表面、及所述像素隔離柱遠(yuǎn)離所述TFT基板的表面均經(jīng)過氟等離子體處理形成疏水層。該能實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件的印刷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、顯示器件。

背景技術(shù)

市場對顯示器分辨率的要求越來越高，高分辨率的像素圖案化技術(shù)對于顯示器來說是一項(xiàng)至關(guān)重要的技術(shù)。目前，噴墨打印技術(shù)正在發(fā)展成為下一代的OLED像素圖案化技術(shù)。

在印刷工藝中，需要制備像素定義層(pixel definition layer，PDL，或者被稱為Bank)，常用的bank制備采用黃光工藝，利用曝光顯影等工藝來形成深度統(tǒng)一、形狀基本固定的像素凹槽，用作容納印刷墨水的“容器”。由于受打印設(shè)備精度以及墨水液滴尺寸的影響，對于傳統(tǒng)的RGB條狀排列的像素結(jié)構(gòu)，很難實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件的制備。雖然，通過將相連像素的子像素共用掩膜(mask)上的開口，可以有效提高顯示器件的分辨率，但是隨著分辨率的增大，各子像素的尺寸就會減小，相應(yīng)地各子像素凹槽的體積變小，像素凹槽內(nèi)的墨水還是會因?yàn)轶w積變小而溢出像素凹槽，與相鄰不同顏色的子像素發(fā)生顏色串?dāng)_，引起顯示效果下降。

而且，為了使像素凹槽內(nèi)的印刷墨水干燥之后形成厚度均勻的薄膜，通常要求bank的上端具有疏水性，下端具有親水性，像素定義層各個部位對材料的親疏水特性有特定要求，因此，要滿足高分辨率顯示器件的印刷要求，像素結(jié)構(gòu)還需要改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種像素結(jié)構(gòu)，能夠解決因顯示器件分辨率增大而引起像素面積減小、墨水外溢造成顏色串?dāng)_以及成膜不均勻的問題。

一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

TFT基板；

像素定義層，包括形成于所述TFT基板上的像素定義層主體和像素隔離柱；所述像素定義層主體上設(shè)有多個第一像素凹槽，所述像素隔離柱位于所述第一像素凹槽內(nèi)并將所述第一像素凹槽至少分隔成兩個第二像素凹槽，且所述像素定義層主體的高度大于所述像素隔離柱的高度；

所述像素定義層主體遠(yuǎn)離所述TFT基板的表面、及所述像素隔離柱遠(yuǎn)離所述TFT基板的表面均經(jīng)過氟等離子體處理形成疏水層。

本發(fā)明上述像素結(jié)構(gòu)，一方面所述像素隔離柱將所述第一像素凹槽至少分隔成兩個第二像素凹槽，且所述像素定義層主體的高度大于所述像素隔離柱的高度，從而位于第一像素凹槽的多個同種顏色的子像素可以一起共用第一像素凹槽的開口，同時進(jìn)行打印，從而成倍的增大了墨水的沉積區(qū)域，因此可以有效減小各子像素的尺寸，同時保證墨水不會因子像素面積過小而發(fā)生溢出，彌補(bǔ)打印設(shè)備機(jī)械精度不足；另一方面，經(jīng)過氟等離子體表面處理能有效控制像素定義層不同部位對親疏水特性的要求，能夠有效控制釘扎點(diǎn)的高度，有利于后續(xù)打印墨水的鋪展及成膜后的均勻性控制，提高成膜均勻性，利于實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件的印刷。

在其中一個實(shí)施例中，所述像素定義層主體高于所述像素隔離柱的部分側(cè)壁也經(jīng)過氟等離子體處理形成疏水層。

在其中一個實(shí)施例中，所述像素定義層主體的高度為0.8μm～1.5μm，所述像素隔離柱的高度為0.2μm～0.5μm。

在其中一個實(shí)施例中，所述像素隔離柱的側(cè)壁與所述TFT基板的夾角為25°～65°。

進(jìn)一步地，所述像素隔離柱的側(cè)壁與所述TFT基板的夾角為45°～55°。