[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811235228.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN109801838A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翁明暉;吳承翰;張慶裕;林進(jìn)祥;王筱姍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F7/004
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

在一基底之上形成一材料層；

在該材料層之上形成一光刻膠層；

在該光刻膠層上進(jìn)行一曝光制程；以及

顯影該光刻膠層；

其中，該光刻膠層是由一光刻膠材料所形成，該光刻膠材料包括一感光性聚合物，且該感光性聚合物具有一第一感光性官能基團(tuán)及一第一酸不穩(wěn)定基團(tuán)，該第一感光性官能基團(tuán)鍵合至該感光性聚合物的一主鏈，該第一酸不穩(wěn)定基團(tuán)鍵合至第一感光性官能基團(tuán)。