[發明專利]光刻方法在審
| 申請號： | 201811235210.3 | 申請日： | 2018-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN109782547A | 公開（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發明（設計）人： | 吳政寬;鄭博中;陳立銳;石志聰 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體晶圓 晶圓平臺 調控電壓 極紫外光 曝光場 投射 光刻 固定半導體 電極 晶圓 施加 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻方法，適用于半導體生產，該光刻方法包括：
放置一半導體晶圓在一晶圓平臺上方并對該半導體晶圓的一地形執行一第一次調整，其中該第一次調整是通過施加一初始電壓至該晶圓平臺的一電極；
在該第一次調整完成后測量該半導體晶圓的該地形；
對該半導體晶圓的已調整的該地形執行一第二次調整，其中該第二次調整是根據該測量結果施加一第一調控電壓至該晶圓平臺的該電極：以及
投射一極紫外光至該半導體晶圓。
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