[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201811234403.7
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN109698115A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 山口達也;新納禮二;野澤秀二;藤川誠
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C08G71/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種半導體裝置的制造方法，對基板進行處理來制造半導體裝置，其特征在于，所述制造方法包括如下工序：

將聚合用的原料供給至基板的表面，形成由具有脲鍵的聚合物構成的犧牲膜的工序；

接下來，通過對所述犧牲膜進行加熱，同時進行改變該犧牲膜的截面形狀的步驟以及調節該犧牲膜的膜厚的步驟的工序；

然后，對所述基板的表面進行處理的工序；和，

接著，去除所述犧牲膜的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，去除所述犧牲膜的工序是通過對所述犧牲膜進行加熱而使所述聚合物解聚的工序。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在形成有所述犧牲膜的基板的表面形成有高度差，

改變所述犧牲膜的截面形狀的步驟是使所述犧牲膜的表面平滑化的步驟。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在形成有所述犧牲膜的基板的表面形成有凹部，

改變所述犧牲膜的截面形狀的步驟是填埋所述凹部內所形成的空隙的工序，

調節所述犧牲膜的膜厚的步驟是在基板的表面被犧牲膜覆蓋的狀態下降低該犧牲膜表面的高度的步驟。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在形成有所述犧牲膜的基板的表面形成有多孔質的低介電常數膜，

形成所述犧牲膜的工序是將所述聚合物壓入所述低介電常數膜內的孔部內的工序，

改變所述犧牲膜的截面形狀的步驟是利用聚合物填埋通過形成所述犧牲膜的工序所形成的所述孔部內的間隙的步驟，

調節所述犧牲膜的膜厚的步驟是去除在所述低介電常數膜上成膜的所述犧牲膜的步驟。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲膜的工序是將異氰酸酯的蒸氣和胺的蒸氣供給至基板、并對基板進行加熱而使異氰酸酯和胺進行聚合反應的工序。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲膜的工序是將異氰酸酯的液體和胺的液體供給至基板而使異氰酸酯和胺在該基板表面進行聚合反應的工序。

8.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲膜的工序是將異氰酸酯的液體或霧供給至基板、并對所述基板供給水分而使異氰酸酯水解后生成胺，并使異氰酸酯和胺進行聚合反應的工序。