[發(fā)明專利]相移掩模及使用該相移掩模的抗蝕圖案形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811233403.5 | 申請日: | 2013-02-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109298592A | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 木下一樹;飛田敦 | 申請(專利權(quán))人: | 大日本印刷株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/34 | 分類號(hào): | G03F1/34 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 吳秋明 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相移 相移掩模 曝光裝置分辨率 抗蝕圖案 透明基板 曝光裝置 圖案區(qū)域 圖像顯示裝置 鄰接 加工材 相位差 遮光部 與非 曝光 賦予 制造 | ||
1.一種相移掩模,用于通過來自曝光裝置的曝光的光從而將未達(dá)到3μm的設(shè)計(jì)尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上,其特征在于,
具備:
透明基板;
凹狀或凸?fàn)畹南嘁撇浚湓O(shè)置于上述透明基板上,對來自上述曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差;以及
非相移部,其鄰接于上述相移部,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中的至少任一者為未達(dá)到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸,且上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸不同,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中的尺寸較小的任一者發(fā)揮不使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能,另一者發(fā)揮使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能,
上述透明基板上的包含上述相移部及上述非相移部在內(nèi)的圖案區(qū)域的大小是一邊為300mm以上,
至少在上述圖案區(qū)域內(nèi),未設(shè)置未達(dá)到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸且以遮光膜構(gòu)成的遮光部。
2.如權(quán)利要求1所述的相移掩模,其中,
上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸之比為1∶1.5~1∶5.6、或1.5∶1~5.6∶1。
3.如權(quán)利要求1或2所述的相移掩模,其中,
上述相移部的尺寸與鄰接于該相移部的上述非相移部的尺寸的合計(jì)值為上述曝光裝置分辨率極限以上。
4.如權(quán)利要求1所述的相移掩模,其中,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中尺寸較小的暗區(qū)域的尺寸為0.6μm~2.75μm范圍內(nèi),上述相移部及上述非相移部當(dāng)中尺寸較大的明區(qū)域的尺寸與上述暗區(qū)域的尺寸之比,是在將上述暗區(qū)域的尺寸設(shè)為1的情況下,上述明區(qū)域的尺寸為1.5以上。
5.如權(quán)利要求1、2和4中任一項(xiàng)所述的相移掩模,其中,
在上述圖案區(qū)域內(nèi),具有為上述曝光裝置分辨率極限以上的尺寸且以遮光膜構(gòu)成的遮光部。
6.如權(quán)利要求1、2和4中任一項(xiàng)所述的相移掩模,其中,
上述凹狀的相移部是設(shè)置于上述透明基板的刻蝕部。
7.如權(quán)利要求1、2和4中任一項(xiàng)所述的相移掩模,其中,
上述凸?fàn)畹南嘁撇渴且栽O(shè)置于上述透明基板上的透光膜構(gòu)成的。
8.一種抗蝕圖案形成方法,將具有未達(dá)到曝光裝置分辨率極限的設(shè)計(jì)尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上,其特征在于,
包含:
使用上述曝光裝置,通過權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)的相移掩模,使設(shè)置于上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的步驟;以及
通過使經(jīng)曝光的上述光致抗蝕膜顯影,從而在上述被加工材上形成給定的抗蝕圖案的步驟。
9.一種相移掩模,用于通過來自具備等倍投影曝光光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置的曝光的光從而將未達(dá)到3μm的設(shè)計(jì)尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上,其特征在于,
具備:
透明基板;
凹狀或凸?fàn)畹南嘁撇浚湓O(shè)置于上述透明基板上,對來自上述曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差;以及
非相移部,其鄰接于上述相移部,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中的至少任一者為未達(dá)到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸,且上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸不同,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中的尺寸較小的任一者發(fā)揮不使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能,另一者發(fā)揮使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能,
上述透明基板上的包含上述相移部及上述非相移部在內(nèi)的圖案區(qū)域的大小是一邊為300mm以上,
至少在上述圖案區(qū)域內(nèi),未設(shè)置未達(dá)到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸且以遮光膜構(gòu)成的遮光部。
10.一種相移掩模,用于通過來自曝光裝置的曝光的光從而將未達(dá)到3μm的設(shè)計(jì)尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上,其特征在于,
具備:
透明基板;
凹狀或凸?fàn)畹南嘁撇浚湓O(shè)置于上述透明基板上,對來自上述曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差;以及
非相移部,其鄰接于上述相移部,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中的至少任一者為未達(dá)到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸,且上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸不同,
上述相移部及上述非相移部當(dāng)中的尺寸較小的任一者發(fā)揮不使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能,另一者發(fā)揮使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能,
所述相移部的刻蝕深度或厚度根據(jù)所述透明基板的厚度、來自上述曝光裝置的曝光的光的波長、構(gòu)成所述透明基板的材料的折射率而設(shè)定。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 曝光量確定方法
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