[發(fā)明專利]一種SONOS單元的角模型架構(gòu)及其調(diào)試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811230693.8 | 申請日： | 2018-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN109388895B | 公開（公告）日： | 2023-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王正楠 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/20 | 分類號： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 sonos 單元 模型 架構(gòu) 及其 調(diào)試 方法 | ||
1.一種SONOS單元的角模型架構(gòu)，包括P0狀態(tài)分支和P1狀態(tài)分支，所述P0狀態(tài)分支，P1狀態(tài)分支各自細(xì)分為BOL狀態(tài)和EOL狀態(tài)子分支，每個子分支再根據(jù)sonos元件和fnpass元件細(xì)分為typical,fast和slow三種角模型分類；
其中，所述SONOS單元的角模型架構(gòu)的調(diào)試方法包括：
步驟S1，提取BOL狀態(tài)在typical條件下P0狀態(tài)、P1狀態(tài)的IV模型，所述IV模型為所述SONOS單元的角模型在某一狀態(tài)下的輸出特性所對應(yīng)的函數(shù)關(guān)系；
步驟S2，選擇各自的模型參數(shù)進(jìn)行fast和slow的角模型調(diào)試；
步驟S3，根據(jù)P1狀態(tài)的BOL狀態(tài)的fast和slow工藝分布得到的閾值電壓和漏電流上下限規(guī)格，對P1狀態(tài)BOL狀態(tài)的sonos元件的vth0、u0參數(shù)進(jìn)行調(diào)試，直到模型仿真數(shù)值和規(guī)格數(shù)值一致；
步驟S4，對EOL狀態(tài)時的P0狀態(tài)的IV曲線進(jìn)行參數(shù)擬合，得到typical狀態(tài)的vth0數(shù)值，根據(jù)BOL狀態(tài)的fast,slow參數(shù)變化幅度，對EOL狀態(tài)的fast和slow參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)的數(shù)值調(diào)整，所述IV曲線為所述SONOS單元的角模型在某一狀態(tài)下的輸出特性曲線；
步驟S5，根據(jù)已有的EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的fnpass元件的角模型參數(shù)，再根據(jù)EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的工藝分布得到的閾值電壓上下限規(guī)格，調(diào)整sonos的vth0參數(shù)直到fast和slow參數(shù)的仿真數(shù)值和規(guī)格一致；
步驟S6，將EOL狀態(tài)下P1狀態(tài)的fnpass的corner參數(shù)直接復(fù)制EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的fnpass元件的corner參數(shù)；
步驟S7，根據(jù)已有的EOL狀態(tài)下P1狀態(tài)的fnpass的角模型參數(shù)，以及根據(jù)EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的工藝分布得到的閾值電壓上下限規(guī)格，調(diào)整sonos元件的vth0參數(shù)直到fast和slow的仿真數(shù)值和規(guī)格一致。
2.一種SONOS單元的角模型架構(gòu)的調(diào)試方法，所述SONOS單元的角模型架構(gòu)包括P0狀態(tài)分支和P1狀態(tài)分支，所述P0狀態(tài)分支，P1狀態(tài)分支各自細(xì)分為BOL狀態(tài)和EOL狀態(tài)子分支，每個子分支再根據(jù)sonos元件和fnpass元件細(xì)分為typical,fast和slow三種角模型分類，所述調(diào)試方法包括如下步驟：
步驟S1，提取BOL狀態(tài)在typical條件下P0狀態(tài)、P1狀態(tài)的IV模型，所述IV模型為所述SONOS單元的角模型在某一狀態(tài)下的輸出特性所對應(yīng)的函數(shù)關(guān)系；
步驟S2，選擇各自的模型參數(shù)進(jìn)行fast和slow的角模型調(diào)試；
步驟S3，根據(jù)P1狀態(tài)的BOL狀態(tài)的fast和slow工藝分布得到的閾值電壓和漏電流上下限規(guī)格，對P1狀態(tài)BOL狀態(tài)的sonos元件的vth0、u0參數(shù)進(jìn)行調(diào)試，直到模型仿真數(shù)值和規(guī)格數(shù)值一致；
步驟S4，對EOL狀態(tài)時的P0狀態(tài)的IV曲線進(jìn)行參數(shù)擬合，得到typical狀態(tài)的vth0數(shù)值，根據(jù)BOL狀態(tài)的fast,slow參數(shù)變化幅度，對EOL狀態(tài)的fast和slow參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)的數(shù)值調(diào)整，所述IV曲線為所述SONOS單元的角模型在某一狀態(tài)下的輸出特性曲線；
步驟S5，根據(jù)已有的EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的fnpass元件的角模型參數(shù)，再根據(jù)EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的工藝分布得到的閾值電壓上下限規(guī)格，調(diào)整sonos的vth0參數(shù)直到fast和slow參數(shù)的仿真數(shù)值和規(guī)格一致；
步驟S6，將EOL狀態(tài)下P1狀態(tài)的fnpass的corner參數(shù)直接復(fù)制EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的fnpass元件的corner參數(shù)；
步驟S7，根據(jù)已有的EOL狀態(tài)下P1狀態(tài)的fnpass的角模型參數(shù)，以及根據(jù)EOL狀態(tài)下P0狀態(tài)的工藝分布得到的閾值電壓上下限規(guī)格，調(diào)整sonos元件的vth0參數(shù)直到fast和slow的仿真數(shù)值和規(guī)格一致。
3.如權(quán)利要求2所述的SONOS單元的角模型架構(gòu)的調(diào)試方法，其特征在于，于步驟S1中，提取BOL狀態(tài)在typical條件下P0狀態(tài)、P1狀態(tài)的IV模型，typical條件下經(jīng)過測試得到相應(yīng)的IV曲線，用sonos元件和fnpass元件對應(yīng)的BSIM4模型進(jìn)行參數(shù)提取。
4.如權(quán)利要求3所述的SONOS單元的角模型架構(gòu)的調(diào)試方法，其特征在于：于步驟S1中，提取的順序為先提取P0狀態(tài)下的模型參數(shù)，再提取P1狀態(tài)下的模型參數(shù)。
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