[發明專利]硅穿孔裂紋檢測單元及檢測方法、半導體裝置制作方法

在審

• 申請號: 201811230376.6
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN111081579A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，包括：

模擬硅穿孔，設置于一半導體襯底中，所述模擬硅穿孔包括導電通道和隔離在所述導電通道和所述半導體襯底之間的第一介電襯墊；

導電襯墊，設置于所述半導體襯底中且圍繞所述第一介電襯墊設置；

第二介電襯墊，設置于所述半導體襯底中且圍繞所述導電襯墊設置；

第一觸點，設置于所述半導體襯底上且電連接于所述導電通道；及

第二觸點，設置于所述半導體襯底上電連接于所述導電襯墊，其中，當所述第一觸點與所述第二觸點之間提供有一電壓差，根據所述第一觸點與所述第二觸點之間的導通狀態預測所述模擬硅穿孔所在位置范圍內的硅穿孔是否出現裂紋。

2.根據權利要求1所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述導電通道的材料包括銅、鎢、鋁中的一種或多種。

3.根據權利要求2所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述導電襯墊的材料包括摻雜多晶硅。

4.根據權利要求1所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述半導體襯底包括位于所述模擬硅穿孔周圍的外置區，所述導電襯墊和所述第二介電襯墊設置于所述外置區內。

5.根據權利要求1-4任一所述的硅穿孔裂紋檢測單元，其特征在于，所述半導體襯底包括晶圓，所述晶圓具有用于切割的切割道，所述模擬硅穿孔的數量為多個，多個所述模擬硅穿孔等距排列與所述切割道上。

6.一種硅穿孔裂紋檢測方法，其特征在于，包括：

在一半導體襯底上設置硅穿孔的同時設置如權利要求1所述的硅穿孔裂紋檢測單元；

檢測所述硅穿孔裂紋檢測單元中模擬硅穿孔是否出現裂紋，從而預測所述模擬硅穿孔所在位置范圍內的所述硅穿孔是否出現裂紋。

7.根據權利要求6所述的硅穿孔裂紋檢測方法，其特征在于，檢測所述模擬硅穿孔是否出現裂紋包括：

向所述硅穿孔裂紋檢測單元的第一觸點和第二觸點之間輸入一電壓差；

檢測所述第一觸點和所述第二觸點是否導通，當所述第一觸點和所述第二觸點導通時，判斷所述模擬硅穿孔出現裂紋，當所述第一觸點和所述第二觸點沒有導通時，判斷所述模擬硅穿孔沒有出現裂紋。

8.根據權利要求7所述的硅穿孔裂紋檢測方法，其特征在于，預測所述模擬硅穿孔所在位置的硅穿孔是否出現裂紋包括：

當所述模擬硅穿孔出現裂紋時，預測所述模擬硅穿孔所在位置范圍內的硅穿孔出現裂紋；

當所述模擬硅穿孔沒有出現裂紋時，預測所述模擬硅穿孔所在位置范圍內的硅穿孔沒有出現裂紋。

9.根據權利要求8所述的硅穿孔裂紋檢測方法，其特征在于，所述半導體襯底包括晶圓，所述晶圓具有用于切割的切割道，所述模擬硅穿孔的數量為多個，多個所述模擬硅穿孔等距排列與所述切割道上。

10.一種半導體裝置的制作方法，其特征在于，包括：

利用權利要求6所述的硅穿孔裂紋檢測方法預判所述硅穿孔發生裂紋的位置；以及

調節發生裂紋處的硅穿孔的工藝參數。