[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811229473.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109817716A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿文駿;林祐寬;楊昌達(dá);王屏薇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

在一半導(dǎo)體基底之上形成一第一鰭結(jié)構(gòu)、一第二鰭結(jié)構(gòu)、及一第三鰭結(jié)構(gòu)；

在該第一鰭結(jié)構(gòu)和該第二鰭結(jié)構(gòu)的多個(gè)側(cè)壁之上形成多個(gè)第一間隔物元件；

在形成該些第一間隔物元件之后，部分地移除該第一鰭結(jié)構(gòu)和該第二鰭結(jié)構(gòu)；

在該第三鰭結(jié)構(gòu)的多個(gè)側(cè)壁之上形成多個(gè)第二間隔物元件，其中各個(gè)該些第二間隔物元件高于各個(gè)該些第一間隔物元件；

在形成該些第二間隔物元件之后，部分地移除該第三鰭結(jié)構(gòu)；以及

在部分地移除該第一鰭結(jié)構(gòu)、該第二鰭結(jié)構(gòu)、和該第三鰭結(jié)構(gòu)之后，在該第一鰭結(jié)構(gòu)、該第二鰭結(jié)構(gòu)、及該第三鰭結(jié)構(gòu)之上外延生長(zhǎng)一半導(dǎo)體材料，從而在該第一鰭結(jié)構(gòu)及該第二鰭結(jié)構(gòu)上形成一合并半導(dǎo)體元件，且在該第三鰭結(jié)構(gòu)上形成一隔離半導(dǎo)體元件。