[發明專利]半導體裝置結構的形成方法在審
| 申請號： | 201811229473.3 | 申請日： | 2018-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN109817716A | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發明（設計）人： | 耿文駿;林祐寬;楊昌達;王屏薇 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鰭結構 間隔物元件 半導體裝置結構 側壁 移除 半導體材料 半導體基底 半導體元件 隔離半導體 外延生長 合并 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構的形成方法，包括：
在一半導體基底之上形成一第一鰭結構、一第二鰭結構、及一第三鰭結構；
在該第一鰭結構和該第二鰭結構的多個側壁之上形成多個第一間隔物元件；
在形成該些第一間隔物元件之后，部分地移除該第一鰭結構和該第二鰭結構；
在該第三鰭結構的多個側壁之上形成多個第二間隔物元件，其中各個該些第二間隔物元件高于各個該些第一間隔物元件；
在形成該些第二間隔物元件之后，部分地移除該第三鰭結構；以及
在部分地移除該第一鰭結構、該第二鰭結構、和該第三鰭結構之后，在該第一鰭結構、該第二鰭結構、及該第三鰭結構之上外延生長一半導體材料，從而在該第一鰭結構及該第二鰭結構上形成一合并半導體元件，且在該第三鰭結構上形成一隔離半導體元件。
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