[發明專利]用于控制極紫外光輻射源中的激發激光的裝置

在審

• 申請號: 201811229196.6
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN109782546A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 賴韋志;張漢龍;劉柏村;陳立銳;鄭博中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

一種控制激發激光的裝置和方法，該方法包括在液滴檢測器處檢測在第一位置由第一輻射源照射的一給定標靶液滴散射的輻射的第一信號。控制激發激光的方法還包括在液滴檢測器處檢測在相距第一位置一固定距離的第二位置由第二輻射源照射的所述給定標靶液滴散射的輻射的第二信號，以及基于第一信號的檢測與第二信號的檢測之間的時滯來確定給定標靶液滴的速度。所述方法還包括基于所確定的給定標靶液滴的速度，控制觸發一激發脈沖以加熱給定標靶液滴的觸發時間。

技術領域

本發明實施例關于一種在半導體制造過程中使用的產生極紫外光輻射(extremeultraviolet(EUV)radiation)的方法和設備。

背景技術

對計算能力的需求呈指數成長，這種計算能力的增加可通過增加半導體集成電路(integrated circuits(ICs))的功能密度(即，每個芯片上互連裝置的數目)來實現。隨著功能密度的增加，芯片上各個裝置的尺寸會減小。基于微影制程(lithography，光刻)等半導體制造技術的進步，集成電路中元件尺寸的減小可得到滿足。

舉例來說，用于微影制程的輻射波長已經從紫外光減小到深紫外光(deepultraviolet(DUV))，再到最近的極紫外光(extreme ultraviolet(EUV))范圍。元件尺寸的進一步減小需要微影制程的分辨率的進一步改善，此可以利用極紫外光微影制程(EUVlithography(EUVL))來實現。極紫外光微影制程采用波長約1到100納米(nm)的輻射。

一種產生極紫外光輻射的方法是激光產生等離子體(laser-produced plasma(LPP))。在一基于激光產生等離子體的極紫外光源(source)中，一高功率激光束聚焦在小的摻錫液滴標靶(tin droplet targets)上以形成高度離子化等離子體，其可發出峰值波長在約13.5納米的極紫外光輻射。由激光產生等離子體產生的極紫外光輻射的強度取決于通過高功率激光從標靶液滴(target droplets)產生等離子體的有效性。使高功率激光的脈沖與標靶液滴的產生和移動同步(Synchronizing)可以提高基于激光產生等離子體的極紫外光輻射源的效率。

發明內容

本公開一些實施例提供一種用于控制一極紫外光(EUV)輻射源中的一激發激光的裝置，極紫外光輻射源包括配置用以產生標靶液滴的一液滴產生器及配置用以使用激發脈沖加熱標靶液滴的一激發激光，所述裝置包括一第一輻射源、一第二輻射源、一液滴檢測器以及一定時模塊。第一輻射源配置用以在一第一位置照射各標靶液滴。第二輻射源配置用以在相距第一位置一固定距離的一第二位置照射各標靶液滴。液滴檢測器配置用以檢測在第一位置由一給定標靶液滴散射的輻射的一第一信號和在第二位置由所述給定標靶液滴散射的輻射的一第二信號。定時模塊配置用以接收第一信號和第二信號、基于接收到的所述信號測量給定標靶液滴的一速度、基于所測量的速度估計提供一激發脈沖以加熱給定標靶液滴的一觸發時間以及向激發激光提供觸發時間。

本公開一些實施例提供一種控制極紫外光輻射源中的激發激光的方法，極紫外光輻射源包括配置用以產生標靶液滴的一液滴產生器及配置用以使用激發脈沖加熱標靶液滴的激發激光，所述方法包括在一液滴檢測器處檢測在一第一位置由一第一輻射源照射的一給定標靶液滴散射的輻射的一第一信號。所述方法還包括在液滴檢測器處檢測在相距第一位置一固定距離的一第二位置由一第二輻射源照射的所述給定標靶液滴散射的輻射的一第二信號。所述方法還包括基于第一信號的檢測與第二信號的檢測之間的時滯來確定給定標靶液滴的速度。此外，所述方法包括基于所確定的給定標靶液滴的速度，控制觸發一激發脈沖以加熱給定標靶液滴的觸發時間。