[發(fā)明專利]三維存儲器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811228703.4
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN111063687B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李冠儒
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種三維存儲器的形成方法，包括：

形成包括多個導(dǎo)電條帶的一脊?fàn)畀B層，這些導(dǎo)電條帶是沿著一第一方向疊層于一基材上且沿著一第二方向延伸；

形成一存儲層，該存儲層是沿著一第三方向疊層于該脊?fàn)畀B層的一垂直側(cè)壁上；

形成一通道層，該通道層是沿著該第三方向疊層于該存儲層的側(cè)壁上，且具有沿著該第一方向延伸的長邊的一窄側(cè)壁；

形成一覆蓋層，該覆蓋層在該第一方向中疊層于該脊?fàn)畀B層上，該覆蓋層覆蓋該存儲層與該通道層；以及

形成一導(dǎo)電連接層，該導(dǎo)電連接層沿著該第二方向疊層于該窄側(cè)壁上；

其中，該第一方向與該第二方向可形成一第一非平角，該第三方向與該第一方向可形成一第二非平角，該第三方向與該第二方向可形成一第三非平角。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該通道層的步驟包括：

進(jìn)行一沉積工藝以形成疊層于該存儲層、該基材與該脊?fàn)畀B層的一頂表面上的一導(dǎo)電層；以及

在形成該覆蓋層之前移除一部分的該導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括形成一絕緣材料層的步驟以及形成一導(dǎo)電本體的步驟，該絕緣材料層是沿著該第三方向疊層于該導(dǎo)電層上；該導(dǎo)電本體是通過填充一第一導(dǎo)電材料于該絕緣材料層的一淺溝道中，在該第一方向中疊層于該絕緣材料層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括進(jìn)行一開口刻蝕工藝，以在形成該覆蓋層之后移除部分的該存儲層、該導(dǎo)電層及該絕緣材料層，以形成至少一開口；其中該覆蓋層是在進(jìn)行該開口刻蝕工藝之前覆蓋該導(dǎo)電本體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中形成該導(dǎo)電連接層的步驟包括：

形成一槽口，該槽口是通過移除部分的該通道層沿著該第一方向延伸，且該窄側(cè)壁是作為該槽口的底部；

沉積一第二導(dǎo)電材料于該開口及該槽口中；以及

其中該導(dǎo)電連接層是作為源極區(qū)域或漏極區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中該脊?fàn)畀B層還包括多個絕緣條帶，這些絕緣條帶是沿著該第一方向交替疊層于這些導(dǎo)電條帶，這些導(dǎo)電條帶具有對應(yīng)于該開口的該第三方向中的一第一寬度，這些絕緣條帶具有對應(yīng)于該開口的該第三方向中的一第二寬度，該第一寬度小于該第二寬度。

7.一種三維存儲器，包括：

一脊?fàn)畀B層，該脊?fàn)畀B層包括多個導(dǎo)電條帶，這些導(dǎo)電條帶是沿著一第一方向疊層于一基材上且沿著一第二方向延伸；

一存儲層，該存儲層是沿著一第三方向疊層于該脊?fàn)畀B層的一垂直側(cè)壁上；

一通道層，該通道層是沿著該第三方向疊層于該存儲層的側(cè)壁上，且具有沿著該第一方向延伸的長邊的一窄側(cè)壁；

一覆蓋層，該覆蓋層在該第一方向中疊層于該脊?fàn)畀B層上，該覆蓋層覆蓋該存儲層與該通道層；以及

一導(dǎo)電連接層，該導(dǎo)電連接層沿著該第二方向疊層于該窄側(cè)壁上；

其中，該第一方向與該第二方向可形成一第一非平角，該第三方向與該第一方向可形成一第二非平角，該第三方向與該第二方向可形成一第三非平角。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，還包括：

一絕緣材料層，該絕緣材料層是沿著該第三方向疊層于該通道層上；以及

一導(dǎo)電本體，該導(dǎo)電本體在該第一方向中疊層于該絕緣材料層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，其中該脊?fàn)畀B層還包括多個絕緣條帶，這些絕緣條帶是沿著該第一方向交替疊層于這些導(dǎo)電條帶，這些導(dǎo)電條帶具有對應(yīng)于一開口的該第三方向中的一第一寬度，這些絕緣條帶具有對應(yīng)于該開口的該第三方向中的一第二寬度，該第一寬度小于該第二寬度，其中該開口穿過部分的該存儲層、該通道層、該絕緣材料層及該覆蓋層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，還包括：

一接觸結(jié)構(gòu)，配置于該導(dǎo)電連接層上，其中該接觸結(jié)構(gòu)是通過該覆蓋層所環(huán)繞；以及

一導(dǎo)線，電性連接于該接觸結(jié)構(gòu)。