[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201811228123.5 | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN109698219A | 公開(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發明(設計)人: | 樸慶泰;金政泰;曺成豪 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 姜香丹;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體圖案 數據連接線 顯示區域 顯示面板 顯示設備 虛設 連接線 同一數據 數據線 基板 絕緣層 傳輸數據信號 非顯示區域 電連接 分段被 分段 俯視 外部 | ||
1.一種顯示設備,包括:
顯示面板,包括顯示圖像的顯示區域、以及與所述顯示區域相鄰的非顯示區域,
其中所述顯示面板包括:
基板;
設置在所述基板上的多條數據線,在所述顯示區域中;以及
在所述基板上,在所述非顯示區域中:
數據連接線,被設置為多個,通過所述數據連接線從所述顯示面板的外部向所述顯示區域傳輸數據信號,所述數據連接線被電連接到所述顯示區域中的所述多條數據線;
虛設半導體圖案,分別設置在所述基板與所述數據連接線中的每條數據連接線之間;以及
第一絕緣層,設置在所述虛設半導體圖案與所述數據連接線之間,
其中:
所述虛設半導體圖案中的每個虛設半導體圖案包括布置在所述基板與所述數據連接線之中的同一數據連接線之間的多個半導體圖案分段,在俯視平面圖中,所述多個半導體圖案分段被布置為沿著所述同一數據連接線彼此間隔開。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中:
對于同一數據連接線,與所述同一數據連接線對應的所述多個半導體圖案分段在所述多條數據線的長度延伸的第一方向上彼此間隔開,并且
對于相鄰數據連接線,所述相鄰數據連接線的所述多個半導體圖案分段在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,在所述數據連接線之中,
在每條數據連接線內,在所述俯視平面圖中,所述每條數據連接線的第一部分與所述多個半導體圖案分段重疊,并且所述每條數據連接線的第二部分設置在沿著所述第一方向彼此間隔開的所述多個半導體圖案分段之間,并且
沿著所述第二方向,所述第二部分與所述多個半導體圖案分段交替。
4.根據權利要求2所述的顯示設備,其中:
所述數據連接線的長度在相對于所述多條數據線延伸的所述第一方向的傾斜方向上延伸。
5.根據權利要求1所述的顯示設備,其中:
所述數據連接線包括多條第一數據連接線和多條第二數據連接線,所述多條第一數據連接線和所述多條第二數據連接線在與所述多條數據線的長度延伸的第一方向交叉的第二方向上彼此交替,并且
所述顯示面板進一步包括:
第二絕緣層,設置在沿著所述第二方向彼此交替的所述多條第一數據連接線與所述多條第二數據連接線之間,以及
第三絕緣層,將所述多條第二數據連接線設置在所述第三絕緣層與所述第二絕緣層之間。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中,所述顯示面板在所述顯示面板的所述顯示區域中進一步包括:
晶體管,用所述晶體管將所述數據信號之中的數據信號提供給所述顯示區域;
存儲電容器;
所述晶體管的半導體層,在所述基板與所述第一絕緣層之間;
所述晶體管的第一電極和所述存儲電容器的第一電極,在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間;以及
所述存儲電容器的第二電極,在所述第二絕緣層與所述第三絕緣層之間。
7.根據權利要求5所述的顯示設備,其中:
所述多個半導體圖案分段包括:多個第一半導體分段,與所述多條第一數據連接線重疊;以及多個第二半導體分段,與所述多條第二數據連接線重疊,并且
以與所述多個第一半導體分段的電平不同的電平來對所述多個第二半導體分段進行摻雜。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,在沿所述第二方向彼此交替的所述多條第一數據連接線和所述多條第二數據連接線之中,
在每條第一數據連接線內,在所述俯視平面圖中,所述每條第一數據連接線的第一部分與所述多個第一半導體分段重疊,并且所述每條第一數據連接線的第二部分設置在所述多個第一半導體分段之間,并且
沿著所述第二方向,所述第一數據連接線的所述第二部分分別直接與所述多個第二半導體分段相鄰。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





