[發(fā)明專利]一種溫度調節(jié)LED驅動裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811224908.5
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109348575A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 孫殷
• 申請（專利權）人: 杭州展虹科技有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種溫度調節(jié)LED驅動裝置。一種溫度調節(jié)LED驅動裝置包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和LED燈。本發(fā)明可以避免溫度過熱導致整個電路損壞或者老化加快。

技術領域

本發(fā)明涉及電子技術領域，尤其涉及一種溫度調節(jié)LED驅動裝置。

背景技術

在LED驅動過程中，溫度過熱會使得整個電路損壞或者老化加快，為此設計了一種溫度調節(jié)LED驅動裝置。

發(fā)明內容

本發(fā)明旨在解決現有技術的不足，提供一種溫度調節(jié)LED驅動裝置。

一種溫度調節(jié)LED驅動裝置，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和LED燈：

所述第一NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第二NMOS管的漏極；所述第二NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第一NMOS管的源極，源極接所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的柵極和漏極和所述第六NMOS管的柵極；所述第三NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第四NMOS管的漏極；所述第四NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第三NMOS管的源極，源極接所述第二NMOS管的源極和所述第五NMOS管的柵極和漏極和所述第六NMOS管的柵極；所述第五NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極和所述第六NMOS管的柵極，源極接地；所述第六NMOS管的柵極接所述第二NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的柵極和漏極，漏極接所述LED燈的N極，源極接地；所述LED燈的P極接電源電壓VCC，N極接所述第六NMOS管的漏極。

由于所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的柵極都接在電源電壓VCC上，這四個NMOS管工作在線性區(qū)呈電阻性特性，通過調節(jié)寬長比來變換電阻值；通過這四個NMOS管的串并聯(lián)形成一個所占面積大能夠有效地反映溫度的升高；溫度升高時，由于NMOS管形成的溝道電阻是正溫度系數，溫度升高電阻增大，所在的通路的電流就會減小，這樣驅動電流就會下降，溫度就會慢慢降下來。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的溫度調節(jié)LED驅動裝置的電路圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明內容進一步說明。

一種溫度調節(jié)LED驅動裝置，如圖1所示，包括第一NMOS管10、第二NMOS管20、第三NMOS管30、第四NMOS管40、第五NMOS管50、第六NMOS管60和LED燈70：

所述第一NMOS管10的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第二NMOS管20的漏極；所述第二NMOS管20的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第一NMOS管10的源極，源極接所述第四NMOS管40的源極和所述第五NMOS管50的柵極和漏極和所述第六NMOS管60的柵極；所述第三NMOS管30的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第四NMOS管40的漏極；所述第四NMOS管40的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第三NMOS管30的源極，源極接所述第二NMOS管20的源極和所述第五NMOS管50的柵極和漏極和所述第六NMOS管60的柵極；所述第五NMOS管50的柵極和漏極接在一起再接所述第二NMOS管20的源極和所述第四NMOS管40的源極和所述第六NMOS管60的柵極，源極接地；所述第六NMOS管60的柵極接所述第二NMOS管20的源極和所述第四NMOS管40的源極和所述第五NMOS管50的柵極和漏極，漏極接所述LED燈70的N極，源極接地；所述LED燈70的P極接電源電壓VCC，N極接所述第六NMOS管60的漏極。

由于所述第一NMOS管10、所述第二NMOS管20、所述第三NMOS管30和所述第四NMOS管40的柵極都接在電源電壓VCC上，這四個NMOS管工作在線性區(qū)呈電阻性特性，通過調節(jié)寬長比來變換電阻值；通過這四個NMOS管的串并聯(lián)形成一個所占面積大能夠有效地反映溫度的升高；溫度升高時，由于NMOS管形成的溝道電阻是正溫度系數，溫度升高電阻增大，所在的通路的電流就會減小，這樣驅動電流就會下降，溫度就會慢慢降下來。