[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201811224425.5
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109698134B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發明（設計）人: 大月高實
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具有阻擋層，該阻擋層設置為在金屬圖案之上具有開口部，

所述阻擋層具有向所述開口部內凸出的凸起部，

該半導體裝置還具有：

半導體元件，其外形尺寸小于所述開口部的除了所述凸起部以外的外形尺寸；以及

焊料，其設置在所述開口部內，將所述金屬圖案和所述半導體元件接合，

所述阻擋層具有多個所述凸起部，多個所述凸起部在俯視觀察時與所述半導體元件重疊，且對所述半導體元件的厚度方向進行限制，

多個所述凸起部的至少一個與所述半導體元件直接接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述開口部為四邊形，

所述阻擋層在所述開口部的各邊至少具有1個所述凸起部。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述開口部為四邊形，

所述阻擋層在所述開口部的至少2個角各自具有所述凸起部。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述開口部為四邊形，

所述阻擋層在所述開口部的至少2個角各自具有所述凸起部。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凸起部為對所述開口部的內側的角進行了倒角的形狀。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凸起部為對所述開口部的內側的角進行了倒角的形狀。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件在與所述焊料接合的面至少具有1個控制電極焊盤，

所述阻擋層至少具有在俯視觀察時與所述控制電極焊盤重疊的所述凸起部。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件具有發熱區域和將該發熱區域包圍的非發熱區域，

所述阻擋層具有在俯視觀察時與所述非發熱區域重疊的所述凸起部，

在所述凸起部的凸出方向上，所述凸起部與所述非發熱區域在俯視觀察時重疊的距離比所述非發熱區域的距離短。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件具有發熱區域和將該發熱區域包圍的非發熱區域，

所述阻擋層具有在俯視觀察時與所述非發熱區域重疊的所述凸起部，

在所述凸起部的凸出方向上，所述凸起部與所述非發熱區域在俯視觀察時重疊的距離比所述非發熱區域的距離短。