[發(fā)明專利]一種彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811222835.6 | 申請日: | 2018-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN109473769A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄧潺;高帆;鄧長燈;商鋒;王宇飛;李小丹 | 申請(專利權(quán))人: | 湖北航天技術(shù)研究院總體設(shè)計所 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 余浩 |
| 地址: | 430040*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 偶極子天線 頻率選擇表面 輻射天線 工作頻段 可重構(gòu) 基板 縫隙陣列 工作頻率 共形天線 天線頻段 多頻段 彈載 定向輻射 天線系統(tǒng) 諧振 適配 | ||
1.一種彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,包括:
輻射天線層(1),其包括偶極子天線(10);
天線頻段切換控制單元(2),其與所述偶極子天線(10)相連,并用于切換偶極子天線(10)的工作頻段;
多層頻率選擇表面層(3),多層所述頻率選擇表面層(3)疊設(shè)于所述輻射天線層(1)的底部,每層所述頻率選擇表面層(3)對應(yīng)一種工作頻段的偶極子天線(10),所述頻率選擇表面層(3)包括基板(30)與設(shè)于所述基板(30)上的縫隙陣列(31),所述縫隙陣列(31)用于完全反射對應(yīng)工作頻段的偶極子天線(10)的信號。
2.如權(quán)利要求1所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述縫隙陣列(31)包括多個呈陣列分布的重復(fù)陣元(310),所述重復(fù)陣元(310)包括一對相互倒置并交錯相連的T型結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述重復(fù)陣元(310)包括:
單元板(3100),其設(shè)于所述基板(30)上;
矩形框架(3101),其包容于所述基板(30)的中部;
四個延伸部(3102),四個所述延伸部(3102)分別沿所述矩形框架(3101)的四角延伸設(shè)置,且相鄰的兩個所述延伸部位(3102)相互垂直設(shè)置。
4.如權(quán)利要求3所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述單元板(3100)的寬度為H,滿足:H=0.6λ,其中λ為頻率選擇表面層對應(yīng)工作頻段的偶極子天線的波長。
5.如權(quán)利要求3所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述矩形框架(3101)的寬度為L1,所述延伸部位(3102)的長度和寬度分別為L2和W,滿足L1=0.18λ,L2=0.072λ,W=0.059λ,其中λ為頻率選擇表面層對應(yīng)工作頻段的偶極子天線的波長。
6.如權(quán)利要求1所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述基板(30)與所述輻射天線層(1)之間的距離為D,D=1/4λ,其中λ為頻率選擇表面層對應(yīng)工作頻段的偶極子天線的波長。
7.如權(quán)利要求1所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述偶極子天線(10)為十字交叉偶極子天線。
8.如權(quán)利要求7所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述天線頻率切換控制單元(2)包括:
二極管(20),其設(shè)于所述十字交叉偶極子天線之間;
接線柱(21),其設(shè)于所述頻率選擇表面層(3)的底部,且所述接線柱(21)連接有直流開關(guān)控制單元,所述直流開關(guān)控制單元用于控制所述二極管(20)的導(dǎo)通和閉合。
9.如權(quán)利要求7所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述輻射天線層(1)還包括輻射天線板(11),所述十字偶極子天線設(shè)于所述輻射天線板(11)上,且所述輻射天線板(11)與所述頻率選擇表面層(3)之間設(shè)有第一支撐板(12)。
10.如權(quán)利要求1所述的彈載小型化多頻段可重構(gòu)共形天線,其特征在于,所述頻率選擇表面層(3)還包括:
第二支撐板(32),所述第二支撐板(32)設(shè)于所述基板(30)的底部;
地面反射層(33),所述地面反射層(33)設(shè)于所述頻率選擇表面層(3)的底端。
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