[發(fā)明專利]高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811222810.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109120870B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林水洋;宋穎;徐乃昊;周智;何德寬;王志高 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 隔空微電子(廣州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04N5/50 | 分類號(hào): | H04N5/50;H04N7/20 |
| 代理公司: | 北京清大紫荊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11718 | 代理人: | 馮振華 |
| 地址: | 510635 廣東省廣州市天河區(qū)高新技*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 ku 波段 衛(wèi)星電視 高頻頭 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,包括天線、低噪聲放大器和低噪聲下變頻器;其中:
所述天線,用于接收衛(wèi)星信號(hào);
所述低噪聲放大器,同時(shí)連接所述天線與所述低噪聲下變頻器,并同時(shí)集成有垂直極化低噪聲放大電路和水平極化低噪聲放大電路,用于根據(jù)所述低噪聲下變頻器的選通信號(hào)對(duì)所述衛(wèi)星信號(hào)進(jìn)行垂直極化低噪聲放大處理或水平極化低噪聲放大處理;
所述低噪聲下變頻器包括:
放大部,連接所述低噪聲放大器,用于對(duì)經(jīng)所述低噪聲放大器處理的衛(wèi)星信號(hào)進(jìn)行放大;
下變頻部,連接所述放大部,用于對(duì)經(jīng)所述放大部處理的衛(wèi)星信號(hào)進(jìn)行下變頻處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括選通電路;所述選通電路連接于所述低噪聲放大器與所述低噪聲下變頻器之間,用于根據(jù)所述低噪聲下變頻器的選通信號(hào)選擇所述垂直極化低噪聲放大電路或水平極化低噪聲放大電路導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,所述垂直極化低噪聲放大電路包括第一晶體管以及與所述第一晶體管的第一漏極連接的第一漏極上拉電阻、所述水平極化低噪聲放大電路包括第二晶體管以及與所述第二晶體管的第二漏極連接的第二漏極上拉電阻;
所述選通電路包括:垂直極化選通電路,所述垂直極化選通電路的輸入端連接所述低噪聲下變頻器的第一引腳、輸出端連接所述第一漏極上拉電阻,以控制所述第一晶體管是否導(dǎo)通;
水平極化選通電路,所述水平極化選通電路的輸入端連接所述低噪聲下變頻器的第二引腳、輸出端連接所述第二漏極上拉電阻,以控制所述第二晶體管是否導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括偏置電路;
所述偏置電路的輸入端連接所述低噪聲下變頻器的第三引腳、輸出端同時(shí)連接所述第一晶體管的第一柵極和所述第二晶體管的第二柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,所述天線包括:
垂直極化信號(hào)輸出端,連接所述第一晶體管的第一柵極,用于向所述第一柵極傳輸所述衛(wèi)星信號(hào)中的垂直極化信號(hào);
水平極化信號(hào)輸出端,連接所述第二晶體管中的第二柵極,用于向所述第二柵極傳輸所述衛(wèi)星信號(hào)中的水平極化信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,所述低噪聲放大器的型號(hào)為AT102。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,所述低噪聲放大器的面積小于4mm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,所述低噪聲下變頻器的型號(hào)為AT3570。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高集成Ku波段衛(wèi)星電視高頻頭結(jié)構(gòu),其特征在于,所述低噪聲下變頻器的面積小于10mm2。
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