[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 201811222568.2
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109686681A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 大野宏樹;稻田尊士;河野央
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質，能夠抑制硅氧化物的析出。實施方式所涉及的基板處理裝置具備處理部和控制部。處理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的處理液中來進行蝕刻處理。控制部以如下方式控制處理液，該方式是：在蝕刻處理的第一處理時間，利用第一磷酸濃度及第一硅濃度的處理液對基板進行處理，在第一處理時間之后的第二處理時間，利用比第一磷酸濃度低的第二規定磷酸濃度及比第一硅濃度低的第二規定硅濃度的處理液或者第二規定磷酸濃度及第一硅濃度的處理液對基板進行處理。

技術領域

公開的實施方式涉及一種基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。

背景技術

以往，已知在基板處理裝置中進行如下的蝕刻處理：將基板浸在磷酸處理液中，由此對形成在基板上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO₂)中的氮化硅膜選擇性地進行蝕刻(參照專利文獻1)。

為了選擇性地蝕刻氮化硅膜，期望提高蝕刻處理的后半的氮化硅膜相對于氧化硅膜的蝕刻速率的比、即選擇比。

專利文獻1：日本特開2013-232593號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在上述基板處理裝置中，隨著蝕刻處理的進行而從基板溶出硅成分，因此存在硅氧化物(SiO₂)析出到硅氧化膜上的風險。

實施方式的一個方式的目的在于提供一種抑制硅氧化物的析出并且提高選擇比來進行高精度的蝕刻處理的基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。

用于解決問題的方案

實施方式的一個方式所涉及的基板處理裝置具備處理部和控制部。處理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的處理液中來進行蝕刻處理。控制部以如下方式控制處理液，該方式是：在蝕刻處理的第一處理時間，利用第一磷酸濃度及第一硅濃度的處理液對基板進行處理，在第一處理時間之后的第二處理時間，利用比第一磷酸濃度低的第二規定磷酸濃度及比第一硅濃度低的第二規定硅濃度的處理液或者第二規定磷酸濃度及第一硅濃度的處理液對基板進行處理。

發明的效果

根據實施方式的一個方式，能夠抑制硅氧化物的析出，并且能夠提高選擇比來進行精度高的蝕刻處理。

附圖說明

圖1是基板處理裝置的概要俯視圖。

圖2是表示實施方式所涉及的蝕刻用的處理槽的結構的概要框圖。

圖3A是表示進行蝕刻處理之前的基板的截面的概要圖。

圖3B是表示蝕刻處理進展后的基板的狀態的概要圖。

圖3C是表示蝕刻處理結束后的基板的狀態的概要圖。

圖4是說明蝕刻處理的磷酸濃度控制的流程圖。

圖5是說明蝕刻處理的溫度控制的流程圖。

圖6是說明蝕刻處理的硅濃度控制的流程圖。

圖7是表示蝕刻液的溫度與硅飽和量之間的關系的對應圖。

圖8是表示相對于處理時間的蝕刻液的溫度、磷酸濃度以及硅濃度的時間圖。

圖9是表示變形例所涉及的蝕刻用的處理槽的結構的概要框圖。

附圖標記說明