[發明專利]一種太赫茲寬帶吸收體在審
| 申請號： | 201811222370.4 | 申請日： | 2018-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN109361065A | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 李韶杰;殷瑞玲 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | H01Q15/14 | 分類號： | H01Q15/14;H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 710021 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 寬帶吸收 太赫茲波 石墨烯 吸收率 超材料 構建 費米能級 理論分析 模擬仿真 三層結構 聚合物 差分法 體單元 吸收體 超寬 頻域 時域 金屬 | ||
【權利要求書】：
1.一種太赫茲寬帶吸收體，其特征在于，包括由上至下設置表層的石墨烯(1)，中間的介質層(2)，以及底層的金屬(3)。
2.根據權利要求1所述的一種太赫茲寬帶吸收體，其特征在于，所述的石墨烯(1)為單層結構，邊長為35μm，正方形表層。
3.根據權利要求1所述的一種太赫茲寬帶吸收體，其特征在于，所述的介質層(2)為聚合物，厚度為30μm，邊長為38μm，正方形表層。
4.根據權利要求1所述的一種太赫茲寬帶吸收體，其特征在于，所述的金屬(3)為金Au，厚度為200nm，邊長為38μm，正方形表層。
5.根據權利要求1所述的一種太赫茲寬帶吸收體，其特征在于，所述的石墨烯(1)的費米能級為0.5eV。
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