[發明專利]一種鈣鈦礦/硅基異質結疊層太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201811222301.3
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN111081878A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 楊少飛;唐澤國
• 申請（專利權）人: 君泰創新(北京)科技有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

1.一種鈣鈦礦/硅基異質結疊層太陽能電池，包括鈣鈦礦電池、硅基異質結電池以及所述鈣鈦礦電池和所述硅基異質結電池之間的隧穿結，其特征在于，所述鈣鈦礦電池層上設置有正極，所述硅基異質結電池層下設置有負極，所述鈣鈦礦電池為光照入射方向。

2.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述隧穿結為金屬氧化物層。

3.根據權利要求2所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述金屬氧化物層的材料選自SnO₂、ZnO或TiO₂。

4.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池包括依次設置在所述隧穿結上的電子傳輸層、吸收層和空穴傳輸層。

5.根據權利要求4所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述硅基異質結電池包括依次設置在所述隧穿結下的非晶硅p層、第一本征非晶硅層、晶體硅片、第二本征非晶硅層和非晶硅n層。

6.根據權利要求4所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述隧穿結和所述電子傳輸層為同一層且材料為金屬氧化物。

7.根據權利要求6所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述隧穿結的厚度為10nm至200nm。

8.根據權利要求5所述的疊層太陽能電池，其特征在于，還包括設置在所述空穴傳輸層上的正面透明導電層以及設置在所述非晶硅n層下的背面透明導電層。

9.根據權利要求8所述的疊層太陽能電池，其特征在于，所述正面透明導電層上設置有所述正極，所述背面透明導電層下設置有所述負極。

10.一種權利要求1～9任一項所述的疊層太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括在硅片兩面分別沉積第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層，在所述第一本征非晶硅層上依次沉積非晶硅p層、金屬氧化物層、吸收層、空穴傳輸層和正面透明導電層，在所述第二本征非晶硅層上依次沉積非晶硅n層和背面透明導電層，在所述正面透明導電層和所述背面透明導電層上分別制備正面導電柵線和背面導電柵線。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物層通過磁控濺射、反應等離子體沉積或者化學氣相沉積的方法制作。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述化學氣相沉積法選自等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、低壓化學氣相沉積或金屬有機化學氣相沉積。