[發明專利]控制電路在審
申請號: | 201811220839.0 | 申請日: | 2018-10-19 |
公開(公告)號: | CN111082785A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
發明(設計)人: | 張明豐;劉衛中;蔣亞平 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤矽科微電子有限公司 |
主分類號: | H03K17/04 | 分類號: | H03K17/04;H03K17/12;H03K17/687 |
代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
地址: | 214135 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 控制電路 | ||
1.一種控制電路,所述的控制電路用于控制驅動功率半導體器件電路中輸出級電路,所述的輸出級電路包括為所述的功率半導體器件提供拉電流的第一PMOS管以及為所述的功率半導體器件提供灌電流的第一NMOS管,其特征在于,所述的控制電路包括第一反相器鏈模塊、第二反相器鏈模塊、第一驅動模塊、第二驅動模塊、第一箝位模塊、第二箝位模塊;
所述的第一反相器鏈模塊的輸出端分別與所述的第二反相器鏈模塊的輸入端、第一驅動模塊的第一輸入端以及第二驅動模塊的第一輸入端相連接;
所述的第二反相器鏈模塊的輸出端分別與所述的第一箝位模塊的輸入端、第二箝位模塊的輸入端、第一驅動模塊的第二輸入端以及第二驅動模塊的第二輸入端相連接;
所述的第一驅動模塊的輸出端和第二箝位模塊的輸出端同時與所述的第一PMOS管的柵極相連接,所述的第二驅動模塊的輸出端和第一箝位模塊的輸出端同時與所述的第一NMOS管的柵極相連接。
2.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,所述的第一反相器鏈模塊包括第一反相器,該第一反相器的輸出端作為所述的第一反相器鏈模塊的輸出端。
3.根據權利要求2所述的控制電路,其特征在于,所述的第一反相器鏈模塊還包括第二反相器,該第二反相器的輸出端與所述的第一反相器的輸入端相連接。
4.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,所述的第二反相器鏈模塊包括至少二個級聯的反相器,所述的第二反相器鏈模塊中第一級的反相器的輸入端作為所述的第二反相器鏈模塊的輸入端,所述的第二反相器鏈模塊中最后一級的反相器的輸出端作為所述的第二反相器鏈模塊的輸出端。
5.根據權利要求4所述的控制電路,其特征在于,所述的第二反相器鏈模塊包括第三反相器和第四反相器,其中,所述的第三反相器作為所述的第二反相器鏈模塊中第一級的反相器,所述的第四反相器作為所述的第二反相器鏈模塊中最后一級的反相器。
6.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,所述的第一驅動模塊包括第二NMOS管和第二PMOS管;
所述的第二PMOS管的柵極作為所述的第一驅動模塊的第一輸入端,所述的第二NMOS管的柵極作為所述的第一驅動模塊的第二輸入端;
所述的第二NMOS管的漏極和第二PMOS管的漏極相連接,并共同作為所述的第一驅動模塊的輸出端;
所述的第二NMOS管的源極和第二PMOS管的源極均接地。
7.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,所述的第二驅動模塊包括第三NMOS管和第三PMOS管;
所述的第三NMOS管的柵極作為所述的第二驅動模塊的第一輸入端,所述的第三PMOS管的柵極作為所述的第二驅動模塊的第二輸入端;
所述的第三NMOS管的漏極和第三PMOS管的漏極相連接,并共同作為所述的第二驅動模塊的輸出端;
所述的第三NMOS管的源極和第三PMOS管的源極均接地。
8.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,
所述的第一箝位模塊包括第四NMOS管,該第四NMOS管的漏極作為所述的第一箝位模塊的輸入端、該第四NMOS管的柵極作為所述的第一箝位模塊的輸出端、該第四NMOS管的源極接地;
所述的第二箝位模塊包括第四PMOS管,該第四PMOS管的漏極作為所述的第二箝位模塊的輸入端、該第四PMOS管的柵極作為所述的第二箝位模塊的輸出端、該第四PMOS管的源極接地。
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