[發(fā)明專利]基片處理裝置、基片處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811219721.6
• 申請(qǐng)日: 2018-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN109698143A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 稻田尊士;河野央;大野宏樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發(fā)明提供基片處理裝置、基片處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。實(shí)施方式的基片處理裝置包括基片處理槽和控制部。基片處理槽通過將基片浸漬在磷酸處理液中，來進(jìn)行蝕刻處理。控制部隨著蝕刻處理的進(jìn)展，控制用于對(duì)磷酸處理液進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的溫度調(diào)節(jié)部，來降低磷酸處理液的溫度。本發(fā)明能夠抑制硅氧化物析出。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及基片處理裝置、基片處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

一直以來，已知一種技術(shù)，其在基片處理裝置中，通過將基片浸漬在磷酸處理液中，來進(jìn)行選擇性地蝕刻形成在基片上的硅氮化物膜(SiN)和硅氧化物膜(SiO₂)之中的硅氮化物膜的蝕刻處理(參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-232593號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

但是，在選擇性地蝕刻層疊有多層硅氮化物膜和硅氧化物膜的基片中的硅氮化物膜的情況下，隨著蝕刻進(jìn)行，將被蝕刻的硅氮化物膜的成分排出至基片之外的路徑變長(zhǎng)。因此，在硅氧化物膜之間形成的間隙的磷酸處理液中的硅濃度變高，存在在硅氧化物膜上析出硅氧化物的可能性。

實(shí)施方式的一個(gè)方式的目的在于提供抑制硅氧化物析出的基片處理裝置、基片處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)手段

實(shí)施方式的一個(gè)方式的基片處理裝置包括基片處理槽和控制部。基片處理槽通過將基片浸漬在磷酸處理液中，來進(jìn)行蝕刻處理。控制部隨著蝕刻處理的進(jìn)展，控制對(duì)磷酸處理液進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的溫度調(diào)節(jié)部，來降低磷酸處理液的溫度。

發(fā)明效果

依照實(shí)施方式的一個(gè)方式，能夠抑制硅氧化物析出。

附圖說明

圖1是基片處理裝置的概略平面圖。

圖2是表示實(shí)施方式的蝕刻用的處理槽的結(jié)構(gòu)的概略塊圖。

圖3A是表示進(jìn)行蝕刻處理前的基片的截面的概略圖。

圖3B是表示進(jìn)行了蝕刻處理的基片的狀態(tài)的概略圖。

圖3C是表示進(jìn)一步進(jìn)行了蝕刻處理的基片的狀態(tài)的概略圖。

圖3D是表示蝕刻處理結(jié)束后的基片的狀態(tài)的概略圖。

圖4是說明蝕刻處理的溫度控制的流程圖。

圖5A是表示在蝕刻液的溫度較高的情況下基片中的硅濃度的圖。

圖5B是表示在蝕刻液的溫度較低的情況下基片中的硅濃度的圖。

圖6是說明蝕刻處理的磷酸濃度控制的流程圖。

圖7是說明蝕刻處理的硅濃度控制的流程圖。

圖8是表示蝕刻液的溫度與硅飽和量的關(guān)系的圖。

圖9是匯總相對(duì)于處理時(shí)間的蝕刻液的溫度、磷酸濃度和硅濃度的圖。

圖10是變形例的基片處理裝置中的、蝕刻液的溫度、磷酸濃度和硅濃度對(duì)處理時(shí)間的關(guān)系的匯總圖。

附圖標(biāo)記說明

1 基片處理裝置

6 批量處理部

8 基片

23 蝕刻處理裝置

27 蝕刻用的處理槽