[發明專利]一種硅片晶圓劃片工藝

在審

• 申請號: 201811218455.5
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN111081637A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 徐志華;葛建秋;張彥
• 申請（專利權）人: 江陰蘇陽電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅片晶圓劃片工藝，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、準備工作：根據產品名稱及劃片槽的大小確認劃片刀型號，操作員在切割前應該檢查載物臺，若載物臺上有雜質，操作員應該用氣槍吹去這些雜質，點擊“刀片狀況資料”， 讀取刀刃露出量，若劃片刀露出量沒有達到規定的使用下限但刀痕不符合規范時也需要更換劃片刀，所述劃片刀露出量小于刀刃最小露出量時，需更換劃片刀，刀刃最小露出量=圓片厚度+切入膜量+50um；

步驟2、平面環劃片：設備啟動，調出設備中該品種數據，進行核對，如果正確，即可開始劃片，將平面環按照卡子端放入劃片機工作臺，全自動劃片，劃片可全自動進行；

步驟3、圓片清洗：將平面環的四個平口端分別放置在清洗機卡扣處。關閉設備防護門后按下綠色START按鈕開始清洗作業；

步驟4、圓片烘烤：對于圓片，在上機劃片前必須放在烘箱中，升溫5分鐘。

2.根據權利1所述的一種硅片晶圓劃片工藝，其特征在于，在所述步驟2中，當第一片劃完后，操作者應立即取出，在顯微鏡下檢查或目視檢查，劃片槽是否偏斜，是否全劃穿，藍膜上是否有刀痕，有無芯片脫落，有效電路區中是否有缺角, 裂縫，鈍化層受損，擦傷和沾污等的芯片，如果第一片有問題，應立即采取措施，然后再檢查緊跟切割的一片,直到正常。

3.根據權利1所述的一種硅片晶圓劃片工藝，其特征在于，在所述步驟4中，烘烤溫度：60℃±15℃，恒溫10分鐘，增加藍膜的粘性，減少圓片在劃片過程中的飛晶現象。