[發明專利]一種彈坑檢測方法在審
| 申請號： | 201811218309.2 | 申請日： | 2018-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN111081576A | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 徐志華;葛建秋;張彥 | 申請（專利權）人： | 江陰蘇陽電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214400 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 彈坑 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種彈坑檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、將鍵合后的制品使用刻刀將基島取下，所述鍵合后的制品為銅線鍵合產品；
步驟二、在小燒杯內倒入混合酸溶液，并在電熱板上加熱至80℃，然后放入鍵合的基島；
步驟三、等待約10分鐘后，將鍵合的基島洗凈并晾干，在200倍以上顯微鏡下進行判斷并拍照保存，并記錄；
步驟四、如果彈坑無法判斷，則使用20%的NaOH溶液重復步驟二至步驟三的操作。
2.根據權利1所述的一種彈坑檢測方法，其特征在于，上述步驟一中的混合溶酸溶液的質量比例為純水：硝酸：磷酸：醋酸=5%：80%：5%：10%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
