[發明專利]一種微環光學真空計在審
| 申請號： | 201811218036.1 | 申請日： | 2018-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN109253836A | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發明（設計）人： | 張一;徐沁文;孫成亮 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | G01L21/00 | 分類號： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 敏感元件 真空計 空腔 微環 光導材料 耦合光 襯底 沉積 氣壓傳感器 襯底表面 高靈敏度 內部設置 環形光 上表面 壓強差 真空腔 檢測 放入 光導 刻蝕 氣壓 | ||
1.一種微環光學真空計，其特征在于：包括敏感元件；
所述敏感元件包括Si片襯底，所述Si片襯底內部設置有空腔，所述空腔為真空腔或不同氣壓值空腔；
所述Si片襯底表面由下至上依次沉積一層SiO2和一層Si，從而形成SOI材料，所述SOI材料上表面沉積有一層光導材料，所述光導材料刻蝕后形成耦合光導，所述耦合光導為直線光導和環形光導；
當所述敏感元件放入被檢測環境時，所述空腔與被檢測環境形成壓強差。
2.根據權利要求1所述的一種微環光學真空計，其特征在于：所述耦合光導包括一條直線光導和一個環形光導。
3.根據權利要求1所述的一種微環光學真空計，其特征在于：所述耦合光導包括兩條直線光導和一個環形光導。
4.根據權利要求1所述的一種微環光學真空計，其特征在于：所述不同氣壓值空腔的氣壓范圍為10-13～103Torr。
5.根據權利要求1所述的一種微環光學真空計，其特征在于：當被檢測環境壓力發生改變時，所述真空腔或不同氣壓值空腔與被檢測環境重新形成壓強差，所述SOI材料表面發生形變，同時所述環形光導發生形變。
6.根據權利要求5所述的一種微環光學真空計，其特征在于：當所述環形光導發生變形時，所述直線光導與所述環形光導耦合處處于同一高度。
7.根據權利要求1或2或3或5或6所述的一種微環光學真空計，其特征在于：所述直線光導和環形光導采用光刻技術和/或等離子技術刻蝕。
8.根據權利要求1所述的一種微環光學真空計，其特征在于：所述光導材料使用石英、氮化硅、氮化鋁、砷化鎵、硅或高分子聚合物。
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