[發明專利]具有在金屬互連下形成絕緣層的結構的半導體裝置

在審

• 申請號: 201811215891.7
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109962054A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 崔珉準;權杜原;金寬植;宋泰榮;尹惺鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種半導體裝置，包括：

襯底上的通孔插塞；以及

所述通孔插塞一端處的金屬層，所述金屬層連接到互連層，

其中，絕緣結構位于所述金屬層下方，并且

所述絕緣結構根據與所述金屬層的位置關系而具有不同的分層結構。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構根據與所述金屬層的外周的距離而具有不同的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構根據與所述金屬層的外周的距離而包括不同數量的層。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構包括蝕刻停止層和一個或更多個絕緣層中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構包括數量隨著與所述金屬層的所述外周的距離增大而增多的層。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構包括數量隨著與所述金屬層的所述外周的距離增大而減少的層。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構在與所述金屬層的外周間隔開的位置處包括數量比在與所述金屬層的所述外周相鄰的位置處更少的層。

8.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構包括所述金屬層下方的蝕刻停止層。

9.一種半導體裝置，包括：

半導體結構；

通孔插塞，所述通孔插塞形成為至少部分地穿過所述半導體結構；以及

所述通孔插塞一端處的金屬層，

其中，與所述金屬層的側表面相鄰的底表面根據與所述側表面的距離而具有不同深度。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述金屬層從所述金屬層的所述側表面向下傾斜。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述金屬層從所述金屬層的所述側表面的內側階梯向下。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述金屬層包括：

第一下表面，所述第一下表面從所述金屬層的所述側表面向內延伸；以及

第二下表面，所述第二下表面包括從所述第一下表面向下的臺階。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，絕緣結構位于所述金屬層的所述第一下表面下方。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構在所述金屬層的所述側表面外側的層數大于所述絕緣結構在所述第一下表面下方的層數。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構在與所述金屬層間隔開的位置處的層數小于所述絕緣結構在所述第一下表面下方的層數。

16.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構在所述第一下表面下方的層數小于所述絕緣結構在所述金屬層的所述側表面的外側的層數，并且大于所述絕緣結構在與所述金屬層間隔開的位置處的層數。

17.一種半導體裝置，包括：

其上形成有光電二極管的襯底；

所述襯底上的絕緣層；

穿過所述襯底的至少一部分的通孔插塞；以及

在所述通孔插塞上形成的金屬層，

其中，包括一個或更多個分層結構的絕緣結構位于所述金屬層下方。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中，所述絕緣結構包括蝕刻停止層和一個或更多個絕緣層中的至少一種。