[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201811215459.8 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN109698174B | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發明(設計)人: | 小原太一;米山玲;安藤正之 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/482 | 分類號: | H01L23/482;H01L25/18;H01L23/49 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于,具有:
第1半導體開關元件,其具有第1柵極焊盤、第1集電極焊盤和多個第1發射極焊盤;
第1導線,其將所述多個第1發射極焊盤中的相鄰的焊盤連接;
第1輸出導線,其將所述多個第1發射極焊盤中的1個焊盤與輸出連接;
第1控制部,其對所述第1柵極焊盤供給柵極電壓;
第1發射極配線,其與所述多個第1發射極焊盤中的任一個焊盤即第1引出焊盤直接連接,且與設置于殼體的發射極端子直接連接,供給所述第1控制部的接地電位;以及
第2半導體開關元件,其具有第2柵極焊盤、第2發射極焊盤和與所述輸出連接的第2集電極焊盤。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第1輸出導線與所述第1引出焊盤直接連接。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,
所述多個第1發射極焊盤以細長的焊盤的長邊彼此相鄰的方式設置,
所述第1引出焊盤位于所述多個第1發射極焊盤的端部。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,
在所述第2半導體開關元件設置有多個所述第2發射極焊盤,
該半導體裝置具有:
第2導線,其將所述多個第2發射極焊盤中的相鄰的焊盤連接;
第2輸出導線,其與所述多個第2發射極焊盤中的1個焊盤連接,使所述第2半導體開關元件的發射極電流流至所述第2半導體開關元件的外部;
第2控制部,其對所述第2柵極焊盤供給柵極電壓;以及
第2發射極配線,其與所述多個第2發射極焊盤中的從連接有所述第2輸出導線的焊盤起電氣距離最遠的焊盤即起始端第2發射極焊盤直接連接,且與所述第2控制部連接,
所述第2發射極配線供給所述第2控制部的接地電位。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其特征在于,
所述多個第2發射極焊盤具有細長的焊盤的長邊彼此相鄰的形狀,
所述起始端第2發射極焊盤位于所述多個第2發射極焊盤的端部。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第1集電極焊盤與電源的高壓側連接,所述第2發射極焊盤與所述電源的低壓側連接。
7.根據權利要求4所述的半導體裝置,其特征在于,
具有追加逆變器,該追加逆變器具有與所述第1半導體開關元件和所述第2半導體開關元件相同的結構,
所述追加逆變器的第2發射極配線與所述第2發射極配線連接。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
具有在所述第1半導體開關元件設置的金屬圖案,
所述第1引出焊盤和所述多個第1發射極焊盤中的除所述第1引出焊盤以外的焊盤即第1非引出焊盤通過所述金屬圖案進行連接。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第1輸出導線與所述第1非引出焊盤直接連接。
10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第2半導體開關元件為與所述第1半導體開關元件相同的規格。
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