[發明專利]一種低溫制備大晶粒鈣鈦礦薄膜的方法在審
| 申請號： | 201811215433.3 | 申請日： | 2018-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN109494305A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 張青紅;張歆;李耀剛;王宏志;侯成義 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | H01L51/48 | 分類號： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈣鈦礦 鈣鈦礦薄膜 前驅體溶液 低溫制備 大晶粒 反溶劑 供體 薄膜 預處理 光電轉換效率 晶粒 太陽能電池 低溫成膜 均勻致密 退火處理 導電基 體積比 亞穩定 溶劑 滴加 旋涂 | ||
1.一種低溫制備大晶粒鈣鈦礦薄膜的方法，包括：
(1)將供體A和供體B加入溶劑中，攪拌，得到濃度為1～1.5M的鈣鈦礦前驅體溶液；其中供體A與供體B的摩爾比為1:1～2；
(2)將步驟(1)制得的鈣鈦礦前驅體溶液旋涂在預處理后的導電基底上，同時滴加反溶劑，得到亞穩定的中間相薄膜；其中鈣鈦礦前驅體溶液和反溶劑的體積比為1:1～3；
(3)將步驟(2)制得的中間相薄膜在60～80℃下退火處理，得到平均粒徑為250～500nm的大晶粒鈣鈦礦薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)中的供體A為碘化鉛、溴化鉛中的一種或兩種；供體B為碘化甲脒、溴化甲脒、碘化甲胺、溴化甲胺中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基亞砜的混合溶液。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述混合溶液中N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基亞砜的體積比為4:1。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中的導電基底為FTO玻璃、ITO玻璃、AZO玻璃或ITO-PET。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中的反溶劑為甲苯、氯苯、氯仿、乙醚或仲丁醇。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中導電電基預處理的工藝條件為：依次采用玻璃清洗劑、丙酮、乙醇超聲清洗15～25min，然后在60～80℃的烘箱中烘干30～60min。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中旋凃的轉速為3000rpm。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(3)中低溫退火的時間為10～20min。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(3)制得的大晶粒鈣鈦礦薄膜的厚度為500～700nm，用于柔性鈣鈦礦太陽能電池。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
