[發明專利]OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201811214552.7 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN109360843B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發明(設計)人: | 王和金;王品凡 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示基板的制作方法,包括:
在所述OLED顯示基板的切割區域周圍形成包圍所述切割區域的倒臺型結構,所述倒臺型結構遠離所述OLED顯示基板的襯底基板的端面的面積大于靠近所述襯底基板的端面的面積,在形成所述OLED顯示基板的陰極時,所述陰極在所述倒臺型結構上表面的邊緣自然斷裂;
其特征在于,所述制作方法還包括:
在形成所述倒臺型結構之前,在所述倒臺型結構與所述OLED顯示基板的襯底基板之間形成反光圖形,所述倒臺型結構在所述襯底基板上的正投影位于所述反光圖形在所述襯底基板上的正投影內;所述反光圖形能夠增強對倒臺型結構底部像素界定層材料的曝光。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示基板的制作方法,其特征在于,形成所述反光圖形包括:
通過一次構圖工藝形成所述反光圖形和所述OLED顯示基板的第一金屬層圖形。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示基板的制作方法,其特征在于,形成所述倒臺型結構包括:
形成層疊設置的第一圖形和第二圖形,所述第一圖形位于所述第二圖形和所述襯底基板之間,所述第一圖形在所述襯底基板上的正投影位于所述第二圖形在所述襯底基板上的正投影內。
4.根據權利要求3所述的OLED顯示基板的制作方法,其特征在于,形成所述第一圖形包括:
形成所述第一圖形的過渡圖形;
在形成第二圖形后,以所述第二圖形為掩膜對所述第一圖形的過渡圖形的側表面進行刻蝕,使得所述第一圖形的過渡圖形向內縮進,形成所述第一圖形。
5.根據權利要求4所述的OLED顯示基板的制作方法,其特征在于,形成所述第一圖形的過渡圖形包括:
通過一次構圖工藝形成所述第一圖形的過渡圖形和所述OLED顯示基板的第二金屬層圖形。
6.一種OLED顯示基板,包括:
包圍切割區域的倒臺型結構,所述倒臺型結構遠離所述OLED顯示基板的襯底基板的端面的面積大于靠近所述襯底基板的端面的面積;
所述OLED基板的陰極在所述倒臺型結構上表面的邊緣自然斷裂;
其特征在于,所述OLED顯示基板還包括:
位于所述倒臺型結構和所述OLED顯示基板的襯底基板之間的反光圖形,所述倒臺型結構在所述襯底基板上的正投影位于所述反光圖形在所述襯底基板上的正投影內;所述反光圖形能夠增強對倒臺型結構底部像素界定層材料的曝光。
7.根據權利要求6所述的OLED顯示基板,其特征在于,
所述反光圖形與所述OLED顯示基板的第一金屬層圖形同層同材料設置。
8.根據權利要求6所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述倒臺型結構包括:
第一圖形和第二圖形,所述第一圖形位于所述第二圖形和所述襯底基板之間,所述第一圖形在所述襯底基板上的正投影位于所述第二圖形在所述襯底基板上的正投影內。
9.根據權利要求8所述的OLED顯示基板,其特征在于,
所述第一圖形與所述OLED顯示基板的第二金屬層圖形同層同材料設置。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求6-9中任一項所述的OLED顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





