[發明專利]具有垂直溝道的半導體裝置

在審

• 申請號: 201811214332.4
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109817702A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 金信惠;吳暻錫;曹九榮;玄尚鎮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;薛義丹

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底；

多個半導體鰭，從所述基底突出；

源區/漏區，設置在所述多個半導體鰭中的相應的半導體鰭的頂部處并且均具有比所述多個半導體鰭中的單獨的半導體鰭的寬度大的寬度；

柵電極，設置在所述多個半導體鰭的側表面上并且在所述源區/漏區下；以及

絕緣層，接觸所述多個半導體鰭的所述側表面并且覆蓋所述柵電極的上表面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述絕緣層從所述多個半導體鰭的所述側表面水平地延伸成超過所述柵電極。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述絕緣層的側表面是凸的。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述絕緣層的接觸所述柵電極的下表面是凸的。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源區/漏區包括位于所述半導體鰭的所述側表面上的半導體層，其中，所述絕緣層的上表面與所述半導體層接觸。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述柵電極包括位于所述多個半導體鰭的所述側表面上的垂直部以及從所述垂直部沿所述基底的上表面水平地延伸的水平部。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括覆蓋所述柵電極的所述垂直部和所述水平部的間隙填充絕緣層，其中，所述絕緣層的上表面比所述間隙填充絕緣層的上表面高。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述間隙填充絕緣層的所述上表面與所述柵電極的所述垂直部的上表面共面。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括連接到所述源區/漏區的接觸插塞，其中，所述接觸插塞的下表面與所述絕緣層接觸。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述接觸插塞的所述下表面比所述絕緣層的上表面低。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述接觸插塞的所述下表面與所述絕緣層的所述上表面和所述絕緣層的側表面接觸。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括設置在所述柵電極與所述多個半導體鰭之間的柵極介電層，其中，所述柵極介電層接觸所述絕緣層的下表面。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源區/漏區彼此接觸。

14.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述多個半導體鰭具有片狀并且具有彼此不同的在第一方向上的寬度和在第二方向上的寬度。

15.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底；

半導體鰭，從所述基底突出；

半導體層，位于所述半導體鰭的頂部上；

柵電極，位于所述半導體鰭的側表面上；以及

間隔件，與所述半導體鰭的所述側表面接觸并且在所述半導體層與所述柵電極的上表面之間。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，所述間隔件具有延伸超過所述柵電極的側表面的彎曲側表面。

17.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，所述間隔件的下表面是凸的并且接觸所述柵電極的所述上表面。

18.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，所述間隔件的上表面與所述半導體層接觸。