[發(fā)明專利]膠體量子點(diǎn)改性方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811213616.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109400641B | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王立;朱怡遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南昌大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C07F7/24 | 分類號(hào): | C07F7/24;C07F3/08;C09K11/06;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 膠體 量子 改性 方法 | ||
1.一種膠體量子點(diǎn)改性方法,其特征在于,所述改性方法中包括:
制備膠體量子點(diǎn),所述膠體量子點(diǎn)為表面含有有機(jī)配體的鈣鈦礦型鹵化物量子點(diǎn),且所述有機(jī)配體碳鏈中含有不飽和鍵;所述不飽和建為碳碳雙鍵;有機(jī)配體中包含油酸;
將所述膠體量子點(diǎn)涂敷于基底上;
將涂敷有膠體量子點(diǎn)的基底置于等離子體設(shè)備中,使用等離子體對(duì)膠體量子點(diǎn)輻照預(yù)設(shè)時(shí)間,完成對(duì)膠體量子點(diǎn)的改性。
2.如權(quán)利要求1所述的改性方法,其特征在于,在等離子體設(shè)備中,使用氮?dú)夂?或氬氣作為等離子源,對(duì)膠體量子點(diǎn)進(jìn)行輻照。
3.如權(quán)利要求1或2所述的改性方法,其特征在于,在等離子體設(shè)備中,在溫度為0~80℃的環(huán)境中對(duì)膠體量子點(diǎn)進(jìn)行等離子體輻照。
4.如權(quán)利要求1或2所述的改性方法,其特征在于,所述基底為玻璃基底或硅襯底或由柔性有機(jī)材料制備的基底。
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