[發(fā)明專利]一種雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811212927.6
• 申請(qǐng)日: 2018-10-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109494256A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，其中雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、平坦層和第三金屬層；在維持現(xiàn)有陣列TFT器件制作工藝流程的前提下，通過(guò)在面板內(nèi)的柵極(GIP)區(qū)域施作第三金屬層作為TFT器件的頂柵，替代現(xiàn)有技術(shù)中單柵極TFT結(jié)構(gòu)器件，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)GIP電路的雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)，能有效提高TFT器件的電性以及穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)和高性能有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)中的發(fā)展，為了得到高分辨率和高幀速的顯示器，通常需要薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)具有較高的電流電壓驅(qū)動(dòng)能力。

氧化物半導(dǎo)體(例如：IGZO，一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物)遷移率(10-30cm2/V.s)可滿足AMOLED顯示陣列基板驅(qū)動(dòng)需求，且IGZO TFT器件相對(duì)低溫多晶硅TFT擁有更優(yōu)越的失調(diào)電流(Ioff)，畫(huà)素TFT只需要單柵極就可抑制漏電問(wèn)題，有更利于TFT器件的小型化，實(shí)現(xiàn)超高分辨率TFT基板的制作。因此，搭配IGZO TFT器件驅(qū)動(dòng)電路的高分辨率AMOLED顯示器市場(chǎng)前景很好，為目前國(guó)內(nèi)外主要面板制造廠研發(fā)熱點(diǎn)。雙柵極結(jié)構(gòu)TFT器件相較于傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu)TFT器件表現(xiàn)出更好的電學(xué)穩(wěn)定性和更強(qiáng)的柵控能力，然而，目前的雙柵極結(jié)構(gòu)TFT器件結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，以及制備方法需要增加制程工藝復(fù)雜度，因而會(huì)大大降低產(chǎn)品品質(zhì)，不利于廣泛應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，在不增加制程成本的情況下有效提高TFT器件的電性以及穩(wěn)定性。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案為：

一種雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)，包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、平坦層和第三金屬層；

所述第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層和第二絕緣層依次設(shè)置在玻璃層表面，所述第二絕緣層上設(shè)有至少兩個(gè)的第一過(guò)孔，所述第二金屬層填充于所述第一過(guò)孔中且與半導(dǎo)體層接觸，所述第三絕緣層一側(cè)面分別與第二金屬層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面以及第二絕緣層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸，所述第三絕緣層另一側(cè)面與平坦層接觸；

在器件結(jié)構(gòu)的水平方向上，所述平坦層對(duì)應(yīng)兩個(gè)第一過(guò)孔之間的位置設(shè)有至少一個(gè)的第二過(guò)孔，所述第三金屬層設(shè)置于所述第二過(guò)孔中且與所述第三絕緣層另一側(cè)面接觸。

本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案為：

一種雙柵極TFT器件結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

S1、提供一玻璃層，且在所述玻璃層上依次覆蓋第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層和第二絕緣層；

S2、于所述第二絕緣層中形成至少兩個(gè)的第一過(guò)孔，在第一過(guò)孔中形成第二金屬層，且第二金屬層與半導(dǎo)體層接觸；

S3、形成一第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋于第二金屬層表面和第二絕緣層表面；

S4、于所述第三絕緣層表面形成一平坦層，且在器件結(jié)構(gòu)的水平方向上，于所述平坦層上對(duì)應(yīng)兩個(gè)第一過(guò)孔之間的位置形成至少一個(gè)的第二過(guò)孔，在第二過(guò)孔中形成第三金屬層且與所述第三絕緣層接觸。