[發(fā)明專利]一種微波分離富集半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811212460.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109573985A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 官輪輝;吳初新;繆育明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào): | C01B32/17 | 分類號(hào): | C01B32/17 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體性單壁碳納米管 單壁碳納米管 分離富集 潤(rùn)濕 分離提純 微波輻射 金屬性 水分子 高純 刻蝕 微波 | ||
1.一種微波分離富集半導(dǎo)體性單壁碳納米管的方法,其特征在于,通過(guò)微波輻照完全潤(rùn)濕的單壁碳納米管,快速地選擇性刻蝕除去其中的金屬型單壁碳納米管,得到半導(dǎo)體型單壁碳納米管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,包括以下步驟:
將固相單壁碳納米管用適量的水充分潤(rùn)濕,然后將其置于微波輻照下快速地發(fā)生刻蝕反應(yīng),直至刻蝕反應(yīng)停止,留存下來(lái)的單壁碳納米管即為得到的半導(dǎo)體性單壁碳納米管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述的高純單壁碳納米管的純度在95%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述的適量的水充分潤(rùn)濕,指的是能完全將單壁碳納米管表面潤(rùn)濕即可。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述的固相單壁碳納米管,可以是薄膜狀的、片狀的、粉狀的或是絮狀的固體。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述的微波輻照,其輻照的時(shí)間為5s~30min,優(yōu)選5s-120s。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述的單壁碳納米管,其管徑在0.5-2.0nm。
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