[發明專利]一種基于非對稱溝道的場效應晶體管太赫茲波探測器

在審

• 申請號: 201811212190.8
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109540286A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 馬建國;商德春;傅海鵬;劉亞軒;張新
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;H01L29/10
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 韓新城

1.一種基于非對稱溝道的場效應晶體管太赫茲波探測器，其特征在于，包括：用來接收太赫茲波信號的貼片天線，用于探測該貼片天線接收的太赫茲波信號并整流成較微弱的直流信號讀出的非對稱溝道的N型-金屬-氧化物-半導體場效應晶體管；所述貼片天線及晶體管組之間設置有由三根傳輸線組成T形阻抗匹配網絡，以使天線饋電處的輸入阻抗與N型-金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的源極輸入阻抗匹配，以實現貼片天線到N型-金屬-氧化物-半導體場效應晶體管之間的功率最大化傳輸。

2.根據權利要求1所述基于非對稱溝道的場效應晶體管太赫茲波探測器，其特征在于，在所述N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的柵極外接偏置電源以使N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的溝道打開，并且在該柵極處接一開路四分之一波長的阻抗變換器，消除對貼片天線與N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管之間的阻抗匹配的影響。

3.根據權利要求3所述基于非對稱溝道的場效應晶體管太赫茲波探測器，其特征在于，所述N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的非對稱溝道為橫梯形狀。