[發明專利]一種有機非易失性存儲器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201811210181.5
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109461815A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 陸旭兵;何惠欣;許文超;何宛兒
• 申請（專利權）人: 肇慶市華師大光電產業研究院
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 任重

1.一種有機非易失性存儲器件，其特征在于，從下至上依次包括底柵電極、二氧化硅阻擋層、有機聚合物α-甲基苯乙烯存儲層、有機小分子并五苯有源層和金屬源漏電極；所述二氧化硅阻擋層的厚度為50~100nm，所述有機聚合物α-甲基苯乙烯存儲層的厚度為8~20nm，所述有機小分子并五苯有源層的厚度為30~50nm。

2.根據權利要求1所述有機非易失性存儲器件，其特征在于，所述底柵電極為硅、金、銀或鋁中的一種。

3.根據權利要求2所述有機非易失性存儲器件，其特征在于，所述底柵電極為重摻雜的P（100）硅。

4.根據權利要求1所述有機非易失性存儲器件，其特征在于，所述源漏電極為銅、金、銀或鋁中的一種。

5.根據權利要求1所述有機非易失性存儲器件，其特征在于，所述二氧化硅阻擋層的厚度為50 nm。

6.根據權利要求1所述有機非易失性存儲器件，其特征在于，所述有機聚合物α-甲基苯乙烯存儲層的厚度為12nm。

7.根據權利要求1所述有機非易失性存儲器件，其特征在于，所述有機小分子并五苯有源層的厚度為40nm。

8.權利要求1~7任一所述有機非易失性存儲器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：選用已生長二氧化硅阻擋層的底柵電極，對二氧化硅阻擋層進行UV/O₃進行活化；

S2：在二氧化硅得阻擋層上旋涂聚α-甲基苯乙烯溶液，于40~150℃下退火5~15min得有機聚合物α-甲基苯乙烯存儲層；

S3：在有機聚合物α-甲基苯乙烯存儲層上沉積并五苯得有源層；

S4：在有源層上沉積金屬得金屬源漏電極。

9.根據權利要求8所述制備方法，其特征在于，S2中所述聚α-甲基苯乙烯溶液中聚α-甲基苯乙烯的質量濃度為0.05~0.5%。

10.根據權利要求8所述制備方法，其特征在于， S3中所述沉積的過程為以0 .01~0.05 nm/s的速率進行沉積，沉積時所述有機聚合物α-甲基苯乙烯存儲層的溫度為80~120℃。