[發明專利]一種鈦合金回轉件及其制備方法

有效

• 申請號: 201811210099.2
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109127975B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 姜山;姜中濤;伍太賓;鄧瑩;陳巧旺;劉兵;張鐵軍;王明光
• 申請（專利權）人: 重慶文理學院
• 主分類號: B21J5/06
• 分類號: B21J5/06;C22F1/18
• 代理公司: 重慶晶智匯知識產權代理事務所(普通合伙) 50229
• 代理人: 李靖

1.一種鈦合金回轉件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）前處理：

將TC4鈦合金圓柱試樣放入高溫箱式爐中，設置溫度為800~1200℃保溫30~35分鐘，取出，備用；所述TC4鈦合金圓柱試樣的尺寸為Φ28~32×38~42mm；

（2）擺動碾壓

將前處理后的TC4鈦合金圓柱試樣置于擺碾機中，然后在TC4鈦合金圓柱試樣上加入潤滑劑，設置擺頭轉速為190~210r/min，擺碾角為2~4°，垂直下壓速度為7~9mm/s，試樣碾壓終點是壓機壓力達到200T為止；所述潤滑劑是由豬油、石墨、二硫化鉬、氮化硼、氧化鋁混合組成，其質量比為87~91:4~6:2~4:1~3:0.9~1.1；所述TC4鈦合金圓柱試樣與潤滑劑的質量比為180~200：1；

制得的TC4鈦合金回轉件在衍射角度2θ在35.1±0.2°、38.7±0.2°、40.5±0.2°、53.4±0.2°、63.7±0.2°處有衍射峰。

2.如權利要求1所述一種鈦合金回轉件的制備方法，其特征在于：所述TC4鈦合金回轉件具有晶型結構，其上表面晶型在衍射角度2θ的吸收強度由強至弱依次為38.7±0.2°處的衍射峰、40.5±0.2°處的衍射峰、53.4±0.2°處的衍射峰、35.1±0.2°處的衍射峰、63.7±0.2°處的衍射峰。

3.如權利要求2所述一種鈦合金回轉件的制備方法，其特征在于：所述TC4鈦合金回轉件橫截面晶型在衍射角度2θ的吸收強度由強至弱依次為40.5±0.2°處的衍射峰、38.7±0.2°處的衍射峰、53.4±0.2°處的衍射峰、35.1±0.2°處的衍射峰、63.7±0.2°處的衍射峰。