[發(fā)明專利]基板處理裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811208792.6 | 申請日: | 2018-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN109719613B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙珳技;林鐘逸 | 申請(專利權(quán))人: | 凱斯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B24B37/015;B24B37/005 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及基板處理裝置,該基板處理裝置包括研磨基板的研磨層的研磨墊、測量研磨墊的溫度信息的溫度測量部、基于研磨墊的溫度信息來控制基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的控制部,借助于此,可以獲得準(zhǔn)確地控制基板的研磨厚度、提高研磨效率的有利效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板處理裝置及方法,更具體而言,涉及一種能夠準(zhǔn)確控制基板的研磨厚度、提高研磨效率的基板處理裝置及方法。
背景技術(shù)
一般而言,化學(xué)機(jī)械式研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)工序是使晶片等基板以接觸旋轉(zhuǎn)的研磨盤上的狀態(tài)旋轉(zhuǎn)并進(jìn)行機(jī)械研磨,使基板表面平坦,以便達(dá)到預(yù)先確定的厚度的工序。
為此,如圖1及圖2所示,化學(xué)機(jī)械式研磨裝置1在將研磨墊11覆蓋于研磨盤10上的狀態(tài)下使之自轉(zhuǎn),利用承載頭20,將基板W加壓于研磨墊11的表面并旋轉(zhuǎn),平坦地研磨晶片W的表面。為此,具備調(diào)節(jié)器30,所述調(diào)節(jié)器30進(jìn)行回旋運(yùn)動,以便研磨墊11的表面保持既定的狀態(tài),并同時(shí)對調(diào)節(jié)盤31進(jìn)行加壓和旋轉(zhuǎn),使研磨墊11重整;執(zhí)行化學(xué)研磨的漿料通過漿料供應(yīng)管40,供應(yīng)到研磨墊11的表面。
在化學(xué)機(jī)械式研磨工序中,需要監(jiān)視基板W的研磨層厚度,使基板W的研磨層厚度分布均一,直至達(dá)到目標(biāo)厚度時(shí)為止,如果達(dá)到目標(biāo)厚度,則結(jié)束化學(xué)機(jī)械式研磨工序。
作為原來已知的決定基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的方式之一,有利用傳感器50來測量基板W的研磨層厚度,基于傳感器50測量的信號來決定基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的方式。傳感器50安裝于研磨墊11上,每當(dāng)研磨墊11旋轉(zhuǎn)一圈11d、傳感器50經(jīng)過基板W的下側(cè)時(shí),傳感器50接收包含基板W研磨層厚度信息的信號。
作為一個(gè)示例,當(dāng)基板W的研磨層以導(dǎo)電性材質(zhì)的鎢等金屬材質(zhì)形成時(shí),作為傳感器50,可以使用接入渦電流并從渦電流信號的阻抗、電抗、電感、相位差中任意一種以上的變動量來檢測基板W研磨層厚度的渦電流傳感器。
可是,利用渦電流傳感器測量的信號來決定基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的方式,不僅演算渦電流傳感器測量的信號的過程非常復(fù)雜,而且進(jìn)行演算過程需要大量時(shí)間,因研磨墊的厚度變動導(dǎo)致的渦電流信號的誤差,存在基板研磨層的厚度分布及研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)認(rèn)知錯誤的可能性大的問題。
作為原來已知的決定基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的方式中的一種,有一種檢測使基板W加壓于研磨墊11表面并旋轉(zhuǎn)的承載頭20的扭矩變化而決定基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的方式。
但是,承載頭20的扭矩變化不僅會因基板W的研磨層材質(zhì),還會因施加于基板的加壓力等和多種因素而發(fā)生,因此,存在基于承載頭20的扭矩變化,難以準(zhǔn)確地決定基板W研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的問題。特別是在短時(shí)間內(nèi),測量承載頭20的扭矩變化,根據(jù)測量的結(jié)果來決定基板W的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn),實(shí)質(zhì)上是非常困難的問題。
為此,最近雖然進(jìn)行了旨在準(zhǔn)確地檢測基板的研磨厚度、準(zhǔn)確地控制研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的各種探索,但還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,要求對此進(jìn)行開發(fā)。
發(fā)明內(nèi)容
所要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明目的在于提供一種能夠準(zhǔn)確控制基板的研磨厚度、提高研磨效率的基板處理裝置及方法。
特別是本發(fā)明目的在于,能夠迅速而準(zhǔn)確地控制基板研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)。
另外,本發(fā)明目的在于能夠提高基板的研磨效率、提高品質(zhì)。
另外,本發(fā)明目的在于能夠簡化基板的研磨控制、提高控制效率。
技術(shù)方案
根據(jù)旨在達(dá)成所述本發(fā)明目的的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例,基于研磨墊的溫度信息,控制基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn),從而可以準(zhǔn)確地控制基板的研磨厚度、迅速而準(zhǔn)確地控制基板的研磨結(jié)束時(shí)間點(diǎn)。
發(fā)明效果
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





