[發明專利]一種超致密Cu(OH)2

有效

• 申請號: 201811208448.7
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109402580B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 廖廣蘭;林建斌;譚先華;方涵;史鐵林;湯自榮
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C18/12;C23C28/00;G01N33/00;B82Y40/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青;李智

1.一種超致密Cu(OH)₂納米線的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、ZnO種子層制備：采用磁控濺射的方式在基底上沉積一層ZnO薄膜，用于后續生長ZnO催化納米棒，其中，所述ZnO種子層的沉積厚度為1μm～30μm；

S2、ZnO催化納米棒的制備：在所述沉積有ZnO的基底置于Zn(NO₃)₂·6(H₂O)和C₆H₁₂N₄混合液中，以在所述ZnO種子層上生長ZnO催化納米棒，其中，Zn(NO₃)₂·6(H₂O)和C₆H₁₂N₄溶液的摩爾質量濃度配比為1:5～5:1，所述混合液的溫度為室溫；

S3、Cu種子層制備：在所述ZnO催化納米棒表面沉積一層Cu種子層，所述Cu種子層的沉積厚度為0.2μm；

S4、生長納米線：將所述S3中沉積有Cu種子層的基底置于摩爾質量濃度配比為50:1～5:1的NaOH和(NH₄)₂S₂O₈混合溶液中，以在ZnO催化納米棒的催化作用下，Cu²⁺和-OH有更多的接觸位點以加速Cu種子層生長Cu(OH)₂納米的速度從而獲得質量更好的超致密Cu(OH)₂納米線，通過控制ZnO催化納米棒的生長形貌控制Cu(OH)₂納米線的形貌。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述ZnO種子層的沉積厚度為15μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述Zn(NO₃)₂·6(H₂O)和C₆H₁₂N₄的摩爾質量濃度配比為1:1。

4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述ZnO催化納米棒的生長時間為10min～60min。

5.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中NaOH和(NH₄)₂S₂O₈的摩爾質量濃度配比為25:1。

6.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述超致密Cu(OH)₂納米線的生長時間為0.5min～60min。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S1和S3中采用磁控濺射的方式進行沉積ZnO種子層和Cu種子層。

8.一種超致密Cu(OH)₂納米線，其特征在于，采用如權利要求1-7任一項所述的制備方法制得。

9.如權利要求8所述的超致密Cu(OH)₂納米線在制作濕度傳感器的用途。