[發(fā)明專利]一種PVDF超聲陣列傳感器及其陣列信號去噪方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811208307.5
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109116202A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬君鵬;王成亮;亓彥珣;吳晗;劉敘筆;楊賢彪;謝慶;岳賢強
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇方天電力技術(shù)有限公司;華北電力大學(xué)（保定）;國網(wǎng)江蘇省電力有限公司;國家電網(wǎng)公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12;G01H11/08
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 戴朝榮

1.一種PVDF超聲陣列傳感器，其特征在于，所述PVDF超聲陣列傳感器包括傳感器殼體、以及安裝在傳感器殼體內(nèi)的若干個超聲陣元；

所述超聲陣元包括一陣元殼體，以及安裝在陣元殼體內(nèi)的聲匹配層、PVDF壓電材料、吸聲背襯、導(dǎo)線；

所述陣元殼體呈圓柱體，其沿縱長方向具有第一端部和第二端部，其中，第一端部上設(shè)置有第一開口，第二端部上設(shè)置有第二開口；

所述聲匹配層安裝在陣元殼體的第一端部，填充第一開口以使第一端部成一封閉端；所述吸聲背襯安裝在聲匹配層臨近陣元殼體內(nèi)部的一側(cè)，其遠離聲匹配層的一端緊貼陣元殼體第二端部的內(nèi)側(cè)；所述PVDF壓電材料填充在聲匹配層和吸聲背襯之間；所述PVDF壓電材料呈凹槽狀，其開口朝向陣元殼體的第一端部；

所述吸聲背襯內(nèi)部設(shè)置有一凹槽；

所述導(dǎo)線設(shè)置在凹槽內(nèi)，導(dǎo)線的一端電連接PVDF壓電材料，另一端穿過第二開口延伸至陣元殼體外部、并且與一數(shù)據(jù)采集器電連接；

所述數(shù)據(jù)采集器與一處理單元電連接；

所述PVDF壓電材料將接收到的超聲波信號轉(zhuǎn)換成電信號，并且將生成的電信號經(jīng)由導(dǎo)線傳輸至數(shù)據(jù)采集器，數(shù)據(jù)采集器再將接收到的電信號發(fā)送至處理單元；

所述處理單元內(nèi)置有一陣列信號去噪算法模塊，處理單元被設(shè)置成響應(yīng)于接收到數(shù)據(jù)采集器發(fā)送的電信號，調(diào)用陣列信號去噪算法模塊，對電信號進行去噪處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVDF超聲陣列傳感器，其特征在于，所述聲匹配層采用硅橡膠和氧化鋁的混合物；

所述吸聲背襯采用二氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVDF超聲陣列傳感器，其特征在于，所述PVDF壓電材料呈半球形凹槽狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVDF超聲陣列傳感器，其特征在于，所述陣元殼體采用金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVDF超聲陣列傳感器，其特征在于，所述若干個超聲陣元呈圓環(huán)形分布在傳感器殼體內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVDF超聲陣列傳感器，其特征在于，所述傳感器殼體內(nèi)設(shè)置有磁鐵。