[發(fā)明專(zhuān)利]一種太陽(yáng)能電池的制備工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811207818.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111063761A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳孝業(yè);蔣秀林
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶澳太陽(yáng)能有限公司;晶澳（揚(yáng)州）太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224
• 代理公司: 廣州知友專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波;劉艷麗

1.一種太陽(yáng)能電池的制備工藝，包括以下步驟：

S1：在硅基體(1)的至少一個(gè)表面上設(shè)置摻雜硅層；

S2：采用激光照射所述摻雜硅層的預(yù)設(shè)區(qū)域，在所述摻雜硅層的預(yù)設(shè)區(qū)域上形成含摻雜源氧化硅保護(hù)層(6)；

S3：去除未形成含摻雜源氧化硅保護(hù)層(6)區(qū)域的摻雜硅層，在所述硅基體(1)的至少一個(gè)表面形成局部摻雜硅層(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池制備工藝，其特征是，步驟S1具體包括：在硅基體(1)的至少一個(gè)表面上設(shè)置本征硅層(4)，再在所述本征硅層(4)上進(jìn)行摻雜源摻雜，形成所述摻雜硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：步驟S1中所述的硅基體(1)為P型硅片，在步驟S1之前，所述制備方法還包括：對(duì)所述硅基體(1)進(jìn)行制絨并形成P-N結(jié)(2)，再在形成P-N結(jié)(2)后的硅基體(1)的至少一個(gè)表面設(shè)置隧穿鈍化層(3)；在步驟S1中，在隧穿鈍化層(3)上設(shè)置本征硅層(4)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：設(shè)置在所述硅基體(1)正面的隧穿鈍化層(3)包括但不限于氧化硅、氮氧化硅和氫化非晶氧化硅中的一種或幾種。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：設(shè)置在所述硅基體(1)背面的隧穿鈍化層(3)包括但不限于氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化釩、氧化鎢、氧化鎳、氧化鉬和氯化亞銅中的一種或幾種。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：步驟S2中摻雜源位于所述硅基體(1)的正面時(shí)，所述摻雜源為第V族元素，摻雜濃度為1×10¹⁸-9×10²⁰atoms/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：步驟S2中所述摻雜源位于所述硅基體(1)的背面時(shí)，所述摻雜源為第III族族元素，摻雜濃度為1×10¹⁸-9×10²⁰atoms/cm³。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：步驟S2中所述含摻雜源氧化硅保護(hù)層(6)的位置和形狀與對(duì)應(yīng)表面上的金屬導(dǎo)電電極的位置和圖形相對(duì)應(yīng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：步驟S3中采用堿液去除未形成含摻雜源氧化硅保護(hù)層(6)區(qū)域的摻雜硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制備工藝，其特征是：步驟S3中去除未形成含摻雜源氧化硅保護(hù)層(6)區(qū)域的摻雜硅層后，還需要去除含摻雜源的氧化硅保護(hù)層(6)。