[發明專利]一種太陽能電池的制備工藝

在審

• 申請號: 201811207791.X
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN111063759A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 陳孝業;蔣秀林
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司;晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波;劉艷麗

1.一種太陽能電池的制備工藝，包括以下步驟：

S1：在硅基體(1)的至少一個表面上設置摻雜硅層(5)；

S2：在摻雜硅層(5)的預設區域上設置涂層(6)；

S3：去除未設置所述涂層(6)區域的摻雜硅層，在所述硅基體(1)的至少一個表面形成局部摻雜硅層(7)。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是，步驟S1具體包括：在硅基體(1)的至少一個表面上設置本征硅層(4)，再在所述本征硅層(4)上進行摻雜源摻雜，形成所述摻雜硅層(5)。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：步驟S1中所述的硅基體(1)為P型硅片，在步驟S1之前，所述制備方法還包括：對所述硅基體(1)進行制絨并形成P-N結(2)，再在形成P-N結(2)后的硅基體(1)的至少一個表面設置隧穿鈍化層(3)；在步驟S1中，在隧穿鈍化層(3)上設置本征硅層(4)。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：設置在所述硅基體(1)正面的隧穿鈍化層(3)包括但不限于氧化硅、氮氧化硅和氫化非晶氧化硅中的一種或幾種。

5.根據權利要求3或4所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：設置在所述硅基體(1)背面的隧穿鈍化層(3)包括但不限于氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化釩、氧化鎢、氧化鎳、氧化鉬和氯化亞銅中的一種或幾種。

6.根據權利要求1、2、3或4所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：步驟S1中所述摻雜硅層(5)位于所述硅基體(1)的正面時，所述摻雜硅層(5)中的摻雜源為第V族元素，摻雜濃度為1×10¹⁸-9×10²⁰atoms/cm³。

7.根據權利要求5所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：步驟S1中所述摻雜硅層(5)位于所述硅基體(1)的背面時，所述摻雜硅層(5)中的摻雜源為第III族族元素，摻雜濃度為1×10¹⁸-9×10²⁰atoms/cm³。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：步驟S2中所述涂層(6)的位置和圖形與對應表面上的金屬導電電極的位置和圖形相對應。

9.根據權利要求1或8所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：步驟S2中所述的涂層(6)為石蠟、硬脂酸或棕櫚酸涂層。

10.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備工藝，其特征是：步驟S3中采用堿液去除未設置所述涂層(6)區域的摻雜硅層后，再采用有機溶劑去除涂層(6)。