[發明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請號: 201811207731.8
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109949845A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 崔準佑;白昶基
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本發明提供一種半導體存儲裝置，包括字線控制電路，所述字線控制電路被配置為將字線使能和禁止，其中，字線控制電路包括開關，該開關將字線與至少一個其他字線耦接以及將字線與至少一個其他字線解耦。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年12月21日向韓國知識產權局提交的第10-2017-0176851號韓國申請的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

各種實施例總體而言涉及一種半導體集成電路，以及更具體地，涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術

半導體存儲裝置被配置為接收和儲存數據并輸出所儲存的數據。

半導體存儲裝置可以通過對電容器進行充電或放電、并且由此執行刷新操作來儲存數據。

然而，刷新操作可能不期望地消耗大量功率。

發明內容

根據一個實施例，一種半導體存儲裝置可以包括字線控制電路，所述字線控制電路被配置為將字線使能和禁止，其中，所述字線控制電路包括開關，所述開關將所述字線與至少一個其他字線耦接以及將所述字線與所述至少一個其他字線解耦。

此外，根據一個實施例，一種半導體存儲裝置可以包括字線控制電路，所述字線控制電路被配置為將字線使能和禁止，其中，所述字線控制電路包括將所述字線與電容器耦接和解耦的開關。

此外，根據一個實施例，一種半導體存儲裝置可以包括第一驅動器，所述第一驅動器被配置為響應于第一字線使能信號將第一字線使能或禁止。所述半導體存儲裝置另外可以包括第一開關，所述第一開關被配置為響應于第一電壓傳送信號將所述第一字線與第二字線耦接和解耦。所述半導體存儲裝置還可以包括第一控制信號發生電路，所述第一控制信號發生電路被配置為響應于刷新信號和所述第一字線使能信號來產生所述第一電壓傳送信號。

此外，根據一個實施例，一種半導體存儲裝置可以包括控制信號發生電路，所述控制信號發生電路被配置為響應于刷新信號和字線使能信號來產生多個電壓傳送信號。所述半導體存儲裝置另外可以包括字線控制電路，所述字線控制電路被配置為將字線使能或禁止，響應于所述多個電壓傳送信號將所述字線與電容器耦接，以及響應于所述多個電壓傳送信號將所述字線與所述電容器解耦。

附圖說明

圖1示出了說明根據本教導的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖。

圖2示出了圖1的第一控制信號發生電路的配置圖和時序圖。

圖3示出了圖1的半導體存儲裝置的時序圖。

圖4示出了說明根據本教導的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖。

圖5示出了圖4的第一控制信號發生電路的配置圖和時序圖。

圖6示出了圖4的半導體存儲裝置的時序圖。

圖7示出了說明根據本教導的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖。

圖8示出了圖7的第一控制信號發生電路的配置圖和時序圖。

圖9示出了圖7的半導體存儲裝置的時序圖。

圖10示出了說明根據本教導的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖通過實施例的各種示例來描述半導體存儲裝置。根據一些實施例，半導體存儲裝置能夠在執行刷新操作時降低其功耗。通過降低刷新操作的功耗，可以實現具有更大功率效率的半導體存儲裝置。