[發明專利]可變電阻存儲器件

有效

• 申請號: 201811207629.8
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN110021324B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 李基遠;尹正赫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C7/12;G11C8/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本發明提供一種可變電阻存儲器件，其可以包括存儲單元陣列和控制電路塊。存儲單元陣列可以包括多個字線、多個位線和多個存儲單元。存儲單元陣列還可以包括連接在字線和位線之間的存儲層?？刂齐娐穳K可以包括讀取/寫入電路和位線控制電路。讀取/寫入電路可以被配置為向所述多個位線中的選中的位線提供讀取電壓或寫入電壓。位線控制電路可以與讀取/寫入電路和位線連接，以基于選中的存儲單元電連接到選中的位線的位置來控制輸入到選中的位線的位線電壓。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年1月10日向韓國知識產權局提交的第10-2018-0003413號韓國申請的優先權，其通過引用整體并入本文。

技術領域

各種實施例總體而言可以涉及可變電阻存儲器件，更具體地，涉及能夠防止由峰值電流引起的故障的可變電阻存儲器件。

背景技術

半導體存儲器件可以包括具有多個存儲單元的一個或更多個存儲單元陣列。每個存儲單元陣列可以通過控制電路塊被獨立地驅動。當半導體存儲器件被驅動時，電流對于與控制電路塊相鄰的存儲單元(以下稱為相鄰單元)相比于對于與遠離控制電路塊定位的存儲單元(以下稱為遠程單元)而言可能相對較高。特別地，在使用相變材料作為開關元件的交叉點陣列結構中，當向半導體存儲器件施加寫入電流以儲存數據時，由于峰值電流的緣故而可能在相鄰單元中產生故障。

發明內容

根據本公開的一個實施例，一種可變電阻存儲器件可以包括存儲單元陣列和控制電路塊。所述存儲單元陣列可以包括多個字線、多個位線和多個存儲單元。所述存儲單元陣列還可以包括連接在所述字線和所述位線之間的存儲層。所述控制電路塊可以包括讀取/寫入電路和位線控制電路。所述讀取/寫入電路可以被配置為向所述多個位線之中的選中的位線提供讀取電壓或寫入電壓。所述位線控制電路可以與所述讀取/寫入電路和所述位線連接，以基于選中的存儲單元電連接到所述選中的位線的位置來控制輸入到所述選中的位線的位線電壓。

另外，根據本公開的一個實施例，一種可變電阻存儲器件可以包括存儲單元陣列和控制電路塊。所述存儲單元陣列可以包括多個字線、多個位線和多個存儲單元。所述存儲單元陣列還可以包括連接在所述字線和所述位線之間的存儲層。所述控制電路塊可以包括行開關塊和行開關驅動電路。所述行開關塊可以包括行開關，所述行開關被配置為響應于行選擇信號而向選中的字線提供字線電壓。所述行開關驅動電路可以被配置為基于選中的存儲單元電連接到所述選中的字線的位置來控制所述行開關塊的與所述選中的字線連接的行開關的驅動力。

此外，根據本公開的一個實施例，一種可變電阻存儲器件可以包括存儲單元陣列和與所述存儲單元陣列連接的控制電路塊。所述存儲單元陣列可以包括多個字線、多個位線和多個存儲單元。所述存儲單元陣列還可以包括連接在所述字線和所述位線之間的存儲層。基于沿著位線的、從所述控制電路塊到所述存儲單元連接在所述位線上的位置的電子距離，所述存儲單元陣列中的每個存儲單元屬于相鄰單元組、中間單元組或遠程單元組。所述控制電路塊可以包括位線控制電路和字線控制電路。所述位線控制電路可以被配置為：當連接到所述選中的位線的選中的存儲單元屬于所述相鄰單元組時，降低施加到所述選中的位線的電壓和電流。所述字線控制電路可以被配置為控制施加到與所述選中的存儲單元連接的選中的字線的電壓和電流。

附圖說明

附圖連同下面的詳細描述被并入并構成說明書的一部分，并且用于進一步說明包括所要求保護的新穎性的發明構思的實施例，以及解釋那些實施例的各種原理和優點，在附圖中，在所有單獨視圖中相同的附圖標記指代相同或功能相似的元件。

圖1示出了圖示根據本教導的實施例的可變電阻存儲系統的框圖。

圖2示出了圖示根據本教導的示例實施例的可變電阻存儲器件的電路圖。

圖3示出了圖示圖2的存儲單元陣列的電路圖。

圖4示出了圖示根據本教導的實施例的存儲單元的電路圖。