[發明專利]發光器件封裝和使用該發光器件封裝的顯示設備在審
| 申請號: | 201811207297.3 | 申請日: | 2018-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN109962081A | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 李東建;金容一;盧慧錫;成漢珪;沈成鉉;H·柳 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波長轉換部 發光器件封裝 發光器件 分隔結構 透光 波長 單元陣列 顯示設備 側表面 入射光 轉換 相交 延伸 | ||
1.一種發光器件封裝,包括:
第一波長轉換部和第二波長轉換部,將入射光轉換為具有不同波長的光以提供具有轉換波長的光;
透光分隔結構,在厚度方向上沿著所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部的側表面延伸,以沿著與所述厚度方向相交的方向將所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部分離;以及
單元陣列,包括第一發光器件、第二發光器件和第三發光器件,所述第一發光器件、第二發光器件和第三發光器件沿著所述厚度方向分別與所述第一波長轉換部、所述第二波長轉換部和所述透光分隔結構重疊,所述單元陣列具有第一表面和沿著所述厚度方向與所述第一表面相對的第二表面,所述第一表面更靠近所述第一波長轉換部、所述第二波長轉換部和所述透光分隔結構。
2.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中,所述透光分隔結構由包括SiO2的材料形成。
3.根據權利要求1所述的發光器件封裝,還包括反射層,所述反射層在所述透光分隔結構與所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部接觸的表面上。
4.根據權利要求3所述的發光器件封裝,還包括在相鄰的發光器件之間沿著所述厚度方向延伸的絕緣層,以使所述第一發光器件、所述第二發光器件和所述第三發光器件彼此電隔離。
5.根據權利要求4所述的發光器件封裝,其中,所述絕緣層與所述反射層接觸。
6.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中,所述第一發光器件、所述第二發光器件和所述第三發光器件發射藍光。
7.根據權利要求6所述的發光器件封裝,其中,所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部分別包括紅色磷光體和綠色磷光體。
8.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中,所述第一發光器件、所述第二發光器件和所述第三發光器件沿著所述厚度方向彼此平行,并且所述第三發光器件沿著與所述厚度方向相交的所述方向位于所述第一發光器件和所述第二發光器件之間。
9.根據權利要求1所述的發光器件封裝,還包括:濾光層和分布式布拉格反射器DBR中的至少一個,位于所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部的上表面上方并與所述上表面重疊。
10.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中,所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部以及所述透光分隔結構具有相同的厚度。
11.根據權利要求1所述的發光器件封裝,還包括:包封部,覆蓋并密封所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部。
12.根據權利要求11所述的發光器件封裝,其中,所述包封部具有薄膜形狀,并且被附接到所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部以及所述透光分隔結構。
13.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中,所述透光分隔結構具有由具有不同折射率的材料形成的多層結構。
14.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中,所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部中的每一個的寬度與所述第一波長轉換部和所述第二波長轉換部沿著與所述厚度方向相交的所述方向彼此間隔開的距離相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





