[發(fā)明專利]包括半導(dǎo)體器件封裝的電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811207296.9 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN109801885A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金吉洙;金容勛;吳瓊碩;黃泰周 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 紀(jì)雯 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體器件封裝 電路板 電子設(shè)備 散熱結(jié)構(gòu) 頂表面 模制件 側(cè)壁 覆蓋 | ||
1.一種電子設(shè)備，包括：
電路板；
半導(dǎo)體器件封裝，安裝在所述電路板上，所述半導(dǎo)體器件封裝包括：
連接到所述電路板的封裝襯底，
并排地安裝在所述封裝襯底上的第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件，以及
圍繞所述第一半導(dǎo)體器件的側(cè)壁和所述第二半導(dǎo)體器件的側(cè)壁的模制件，所述模制件不覆蓋所述第一半導(dǎo)體器件的頂表面；以及
散熱結(jié)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體器件封裝上，所述第一半導(dǎo)體器件的頂表面與所述散熱結(jié)構(gòu)接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述散熱結(jié)構(gòu)在平行于所述電路板的第一方向上的最大長度大于所述半導(dǎo)體器件封裝在所述第一方向上的最大長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述散熱結(jié)構(gòu)包括：吸熱器，所述吸熱器與所述半導(dǎo)體器件封裝接觸；以及傳熱器，所述傳熱器在遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體器件封裝的方向上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述模制件覆蓋所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面，并且所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面和所述散熱結(jié)構(gòu)通過所述模制件彼此間隔開。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述模制件不覆蓋所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面，并且所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面與所述散熱結(jié)構(gòu)接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，還包括在所述第一半導(dǎo)體器件的頂表面與所述散熱結(jié)構(gòu)之間的熱界面材料TIM層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述模制件不覆蓋所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面，并且所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面與所述TIM層接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述模制件不覆蓋所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面，并且所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面與所述TIM層間隔開。
9.一種電子設(shè)備，包括：
電路板；
半導(dǎo)體器件封裝，安裝在所述電路板上；
熱界面材料TIM層，與所述半導(dǎo)體器件封裝的上部接觸；以及
散熱結(jié)構(gòu)，與所述TIM層接觸，
其中，所述半導(dǎo)體器件封裝包括：
連接到所述電路板的封裝襯底；
第一半導(dǎo)體器件，安裝在所述封裝襯底上，所述第一半導(dǎo)體器件與所述TIM層接觸；
第二半導(dǎo)體器件，安裝在所述封裝襯底上，所述第二半導(dǎo)體器件在平行于所述電路板的第一橫向方向上與所述第一半導(dǎo)體器件間隔開；以及
模制件，覆蓋所述第一半導(dǎo)體器件的側(cè)壁和所述第二半導(dǎo)體器件的側(cè)壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中，所述散熱結(jié)構(gòu)的平面區(qū)域大于所述半導(dǎo)體器件封裝的平面區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中，所述第一半導(dǎo)體器件在垂直于所述封裝襯底的第二方向上的厚度大于所述第二半導(dǎo)體器件在所述第二方向上的厚度，并且所述模制件覆蓋所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中，所述第一半導(dǎo)體器件在垂直于所述封裝襯底的第二方向上的厚度基本上等于所述第二半導(dǎo)體器件在所述第二方向上的厚度，并且所述模制件不覆蓋所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面被所述TIM層覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其中，所述第二半導(dǎo)體器件的頂表面未被所述TIM層覆蓋并且與所述散熱結(jié)構(gòu)間隔開。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中，所述模制件的熱導(dǎo)率低于所述第一半導(dǎo)體器件的熱導(dǎo)率。
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