[發(fā)明專利]像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811206676.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109243391B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李冀翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一晶體管，第一晶體管的第一端與數(shù)據(jù)線連接，第一晶體管的第二端與耦合節(jié)點(diǎn)、液晶電容的第一端、存儲(chǔ)電容的第一端以及第一耦合電容的第一端連接，第一晶體管的控制端與掃描線以及第一耦合電容的第二端連接；耦合抑制模塊，與耦合節(jié)點(diǎn)連接，并接入一與掃描線上的掃描信號(hào)極性相反的反相信號(hào)，用于在反相信號(hào)的控制下生成第一電壓至耦合節(jié)點(diǎn)。本申請(qǐng)?zhí)峁┑南袼仳?qū)動(dòng)電路，通過(guò)設(shè)置一耦合抑制模塊，該耦合抑制模塊與耦合節(jié)點(diǎn)連接，并接入一與掃描線上的掃描信號(hào)極性相反的反相信號(hào)，用于在反相信號(hào)的控制下生成第一電壓至耦合節(jié)點(diǎn)，以抑制電容耦合效應(yīng)對(duì)像素電壓的影響，進(jìn)而提高顯示面板的顯示性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示面板。

背景技術(shù)

液晶顯示面板以其省電、低輻射、光線柔和等特點(diǎn)廣泛應(yīng)用在各種電子顯示裝置上。液晶顯示面板主要包括陣列分布的多個(gè)像素，每個(gè)像素包括液晶電容，液晶電容之間設(shè)置有液晶分子，通過(guò)改變液晶電容兩電極之間的電壓可以改變液晶分子排布狀態(tài)，從而改變?cè)撓袼氐娘@示亮度。

相關(guān)技術(shù)中，數(shù)據(jù)線連接至晶體管的源極，掃描線連接至晶體管的柵極，在掃描線的控制下，數(shù)據(jù)線逐行向像素陣列的每個(gè)像素上發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)，用以對(duì)每個(gè)像素的液晶電容充電，從而控制每個(gè)像素的顯示狀態(tài)。

然而，當(dāng)晶體管由開(kāi)變關(guān)的時(shí)候，由于電容耦合效應(yīng)，會(huì)使得數(shù)據(jù)線寫(xiě)入所設(shè)定的像素電壓，在晶體管關(guān)閉后有所變動(dòng)，一是偏離原來(lái)寫(xiě)入電壓所希望表現(xiàn)的灰階，二是使原來(lái)數(shù)據(jù)線寫(xiě)入正負(fù)極性大小對(duì)稱的電壓偏離，而產(chǎn)生直流殘留效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N像素驅(qū)動(dòng)電路及顯示面板，能夠抑制電容耦合效應(yīng)對(duì)像素電壓的影響，進(jìn)而提高顯示面板的顯示性能。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：

第一晶體管，所述第一晶體管的第一端與數(shù)據(jù)線連接，所述第一晶體管的第二端與耦合節(jié)點(diǎn)、液晶電容的第一端、存儲(chǔ)電容的第一端以及第一耦合電容的第一端連接，所述第一晶體管的控制端與掃描線以及所述第一耦合電容的第二端連接，所述液晶電容的第二端和所述存儲(chǔ)電容的第二端均接入公共電極電壓；

耦合抑制模塊，所述耦合抑制模塊與所述耦合節(jié)點(diǎn)連接，并接入一與所述掃描線上的掃描信號(hào)極性相反的反相信號(hào)，用于在所述反相信號(hào)的控制下生成第一電壓至所述耦合節(jié)點(diǎn)。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述耦合抑制模塊包括第二晶體管和第二耦合電容；

所述第二晶體管的第一端、第二端以及所述第二耦合電容的第一端均與所述耦合節(jié)點(diǎn)連接，所述第二晶體管的控制端與所述反相信號(hào)以及所述第二耦合電容的第二端連接。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一晶體管為N型晶體管，所述第二晶體管為N型晶體管。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，可通過(guò)調(diào)整所述第一晶體管的長(zhǎng)寬比和所述第二晶體管的長(zhǎng)寬比，以使得所述第一耦合電容的電容值等于所述第二耦合電容的電容值。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第二晶體管的長(zhǎng)寬比小于所述第一晶體管的長(zhǎng)寬比。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述耦合抑制模塊包括第三晶體管和第三耦合電容；

所述第三晶體管的第一端與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第三晶體管的第二端以及所述第三耦合電容的第一端均與所述耦合節(jié)點(diǎn)連接，所述第三晶體管的控制端與所述反相信號(hào)以及所述第三耦合電容的第二端連接。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一晶體管為N型晶體管，所述第三晶體管為P型晶體管。

在本申請(qǐng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第三晶體管的長(zhǎng)寬比等于所述第一晶體管的長(zhǎng)寬比。