[發(fā)明專利]氮化硼-氮化硅夾層寬頻透波材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811205941.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109231996B | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李端;李斌;于秋萍;高世濤;楊雪金;侯寓博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C04B35/584 | 分類號(hào): | C04B35/584;C04B35/5835;C04B35/622;C04B38/00;C04B35/645 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 張麗娟 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 夾層 寬頻 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化硼-氮化硅夾層寬頻透波材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將聚合物單體、交聯(lián)劑、分散劑、造孔劑和去離子水混合,得到混合溶液;以氮化硅陶瓷粉體和燒結(jié)助劑I為混合固相,加入至混合溶液中進(jìn)行球磨預(yù)處理,得到預(yù)混合漿液;所述燒結(jié)助劑I為SiO2和Al2O3,所述氮化硅陶瓷粉體與燒結(jié)助劑I中SiO2、Al2O3的質(zhì)量比為100∶0.1~3∶0.1~5;所述造孔劑為正己烷,所述正己烷在混合溶液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1 wt%~20wt%;
S2、向步驟S1所得的預(yù)混合漿料加入pH調(diào)節(jié)劑至pH值為8.5~11.5,球磨,得到混合漿料,將所述混合漿料在攪拌條件下進(jìn)行真空除氣,加入引發(fā)劑混合,得到注模漿料;所述引發(fā)劑為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%的2,2’-偶氮(2-甲基丙基醚)二鹽酸鹽的水溶液,所述引發(fā)劑與混合固相的體積質(zhì)量比為5μL~50μL∶1g;
S3、將步驟S2所得的注模漿料進(jìn)行注模成型,待漿料完全固化后進(jìn)行脫模、干燥、排膠處理,得到多孔氮化硅坯體;
S4、將步驟S3所得的多孔氮化硅坯體的上下表面鋪排氮化硼混合粉,采用放電等離子燒結(jié)工藝進(jìn)行燒結(jié),得到夾層陶瓷;所述氮化硼混合粉為氮化硼和燒結(jié)助劑II;所述燒結(jié)助劑II為A12O3、Y2O3和B2O3,所述氮化硼與燒結(jié)助劑II中A12O3、Y2O3、B2O3的質(zhì)量比為100∶0.1~10∶0.1~8∶0.1~3;
S5、將步驟S4所得的夾層陶瓷進(jìn)行除碳處理,即得氮化硼-氮化硅夾層寬頻透波材料;
所述步驟S4中,所述放電等離子燒結(jié)工藝的具體步驟為:以10℃/min~200℃/min的升溫速率升溫至1400℃~2000℃進(jìn)行放電等離子燒結(jié),保溫1min~60min后,隨爐冷至室溫,其中,燒結(jié)時(shí)的壓力為10MPa~50MPa,燒結(jié)氣氛為氮?dú)狻⒑狻鍤饣蛘婵盏囊环N。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述聚合物單體為丙烯酰胺,交聯(lián)劑為N’N-亞甲基雙丙烯酰胺,所述分散劑為JA-281,所述丙烯酰胺、N’N-亞甲基雙丙烯酰胺和JA-281的質(zhì)量體積比為1 g~20g∶0.1 g~2g∶20μL~1000μL。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述pH調(diào)節(jié)劑為四甲基氫氧化銨,所述球磨的時(shí)間為2h~6h,所述攪拌的速率為800 r/min~1200r/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S3中,所述注模成型的溫度為50℃~120℃,注模成型保溫固化的時(shí)間為10min~300min,所述排膠處理的具體步驟為:在600℃~800℃的溫度下保溫1h~6h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S5中,所述除碳處理的具體步驟為:升溫至400℃~1000℃保溫0.5h~12h。
6.一種氮化硼-氮化硅夾層寬頻透波材料,其特征在于,所述氮化硼-氮化硅夾層寬頻透波材料由權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的制備方法制得,包括兩蒙皮層(1)和位于兩蒙皮層(1)之間的芯層(2),所述芯層(2)為多孔氮化硅層,所述蒙皮層(1)為致密氮化硼層。
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