[發明專利]一種改善敏感光刻膠形貌的復合型掩模版及其制作方法

在審

• 申請號: 201811204227.2
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN109164675A
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 邵志忙;王曉龍;吳鵬;陳力鈞
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;G03F7/20
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種改善敏感光刻膠形貌的復合型掩模版，其特征在于，包括：

石英層；

多個復合結構，每個所述復合結構分別設置于所述石英層上；

所述復合結構包括：

MoSi層，所述MoSi層設置于所述的上表面；

Gr層，所述Gr層設置于所述MoSi層的上表面。

2.根據權利要求1所述的復合型掩模版，其特征在于，所述MoSi層的寬度大于所述Gr層的寬度。

3.一種改善光刻膠形貌的復合型掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S1、提供一預處理結構，所述預處理結構包括石英層、設置于所述石英層的上表面的MoSi層、設置于所述MoSi層的上表面的Gr層；

步驟S2、于所述預處理結構上涂覆光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述Gr層的上表面，根據預設曝光形狀對所述光刻膠層進行曝光，以于所述光刻膠層上形成對應預設曝光形狀的窗口；

步驟S3、以所述光刻膠層為掩膜對所述Gr層和所述MoSi層進行刻蝕，以得到預處理復合型掩膜版；

步驟S4、去除所述預處理復合型掩膜版中的所述光刻膠層，以得到所述復合型掩膜版。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述光刻膠層的材質為電子膠；

所述步驟S2中，采用電子束對所述光刻膠層進行曝光。

5.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述預處理復合型掩膜版的所述MoSi層的寬度大于所述Gr層的寬度。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括：

步驟S31、以所述光刻膠層為掩膜對所述Gr層和所述MoSi層進行刻蝕，以去除位于所述窗口下方的所述Gr層和所述MoSi層并曝光是位于所述窗口下方的所述石英層，位于相鄰所述窗口之間的所述光刻膠層下方的所述Gr層和所述MoSi層構成多個復合結構；

步驟S32、對每個所述復合結構上方的所述光刻膠層進行刻蝕以縮減其寬度；

步驟S33、以縮減寬度后的所述光刻膠層為掩膜繼續對所述Gr層繼續刻蝕，以暴露部分所述MoSi層的上表面并形成所述預處理復合型掩膜版。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S32中，對每個所述復合結構上方的所述光刻膠層進行刻蝕以縮減其寬度后，預設第一數量的所述復合結構上方的所述光刻膠層位于相應的所述復合結構的一側并暴露相應的所述復合結構的另一側的上表面；

所述預設第一數量等于所述復合結構的數量。

8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S32中，對每個所述復合結構上方的所述光刻膠層進行刻蝕以縮減其寬度后，預設第一數量的所述復合結構上方的所述光刻膠層位于相應的所述復合結構的一側并暴露相應的所述復合結構的另一側的上表面，預設第二數量的所述復合結構上方的所述光刻膠層位于相應的所述復合結構的中央并暴露相應的所述復合結構的位于所述光刻膠層兩側的上表面；

所述預設第一數量和所述預設第二數量的和等于所述復合結構的數量。