[發明專利]基于柔性襯底的柔性施密特電路在審
| 申請號: | 201811203756.0 | 申請日: | 2018-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN109560084A | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發明(設計)人: | 秦國軒;趙政;張一波 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 劉國威 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 施密特電路 柔性薄膜晶體管 柔性電阻 柵氧層 襯底 薄膜 制作 聚對苯二甲酸乙二醇 光刻膠材料層 柔性集成電路 抗機械沖擊 可彎曲折疊 邏輯門電路 柔性器件 硅薄膜 門電路 能力強 上表面 與邏輯 粘合層 樹脂 環氧 摻雜 應用 制造 | ||
1.一種基于柔性襯底的柔性施密特電路,其特征是,在聚對苯二甲酸乙二醇PET塑料上表面有一層基于環氧SU8樹脂的光刻膠材料層,作為PET基板與邏輯門電路之間的粘合層,邏輯門電路的主體部分包括2個柔性薄膜晶體管和4個柔性電阻,一個柔性薄膜晶體管制作在N型Si薄膜上,由:兩個P摻雜區和柵氧層組成,另外一個柔性薄膜晶體管制作在P型Si薄膜上,由:兩個N摻雜區和柵氧層組成,柔性電阻通過對硅薄膜摻雜制作而成,其中器件的連接方式為:使用N型硅薄膜制作的薄膜晶體管,其源端連接電源端,漏端通過一個柔性電阻接地,柵端通過一個柔性電阻接輸入信號;使用P型硅薄膜制作的薄膜晶體管,其源端直接連接信號輸出端,并通過一個柔性電阻同電源端相連,漏端直接接地,柵端通過一個柔性電阻同基于N型硅薄膜薄膜晶體管的漏端連接。
2.如權利要求1所述的基于柔性襯底的柔性施密特電路,其特征是,PET塑料采用不銹鋼襯底,超薄玻璃襯底,紙質襯底中的一種替換,成為具備可彎曲折疊特性的柔性襯底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





